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      • 아세테이트 직물벨트 3M형 11-28
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부가가치 리셀러 및 개발

하이브리드 탄탈룸 커패시터

공식 판매 파트너: 홍다 커패시터

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홍다 커패시터는 수십 년의 경험과 최첨단 생산 기술을 갖춘 선도적인 칩 커패시터 제조업체 중 하나입니다. ISO9001:2015 및 IATF16949 인증을 받았으며 자동차, 전자 및 산업 부문에서 최고 품질 표준을 준수합니다.

홍다 커패시터의 공식 유통 파트너로서 당사는 신뢰성, 내구성 및 혁신적인 기술이 특징인 고성능 커패시터를 고객에게 제공합니다.

하이브리드 탄탈룸 커패시터 제품군

TI의 하이브리드 탄탈룸 커패시터는 높은 신뢰성과 뛰어난 성능을 결합하여 전자 산업의 까다로운 애플리케이션에 이상적입니다. 자동차 기술, 통신 또는 산업용 전원 공급 장치 등 다양한 커패시턴스, 전압 범위 및 설계를 갖춘 다양한 커패시터를 제공합니다.

아래에서 제품에 대한 자세한 사양과 데이터 시트를 확인할 수 있습니다. 이를 통해 요구 사항에 적합한 하이브리드 탄탈 커패시터를 빠르고 구체적으로 선택할 수 있습니다. 궁금한 점이 있거나 개별 요구 사항이 있는 경우 언제든지 문의해 주세요.

HTHC

Rated Voltage(V)10-125
Category Voltage(V)6-75
Surge Voltage(V)11-137,5
Nominal Capacitance ( F)1100-50000
tg (%)35-180
ESR (Ω) 1kHz0,05-0,2
Leakage Current max(A) | 25°C150-200
Leakage Current max(A) | 85°C 120°C2100-3200
Impedance max (Ω) 100Hz | 55°C10-24
Capacitance Variation(%) | 85°C50-160
Max Weight (g)68-125
자세한 정보

HTHC1

Rated Voltage(V)10-125
Category Voltage(V)6-75
Surge Voltage(V)11-138
Nominal Capacitan ce (μF)160-8000
tg σ (%)20-80
ESR (Ω) 1kHz0,3-0,6
Leakage Current max( A) | 25°C25-155
Leakage Current max( A) | 85°C 120°C150-930
Impedance max (Ω) 100Hz | 55°C8-192
Capacitance Variation(%) | 85°C50-160
Dimension D X H (mm)22×8
Max Weight (g)28
자세한 정보

HTHC1W

Rated Voltage (V)10-125
Category Voltage (V)6-75
Surge Voltage (V)11-275
Nominal Capacitance (F)160-8000
tg (%)20-80
ESR (Ω) 1kHz0,3-0,6
Leakage Current max. | 25°C25-155
Impedance max. (Ω) 100Hz | 55°C8-19,2
Dimension DxH (mm)22x8
Max. Weight (g)28
85°C 120°C150-930
85°C50-160
자세한 정보

HTHC2

Rated Voltage (V)10-100
Category Voltage (V)6-95
Surge Voltage (V)11-385
Nominal Capacitance (F)2400-150000
tg (%) | 25°C35-180
ESR (Ω) 1kHz | 85°C 120°C0,03-0,35
Leakage Current max. | 55°C300-500
Impedance max. (Ω) 100Hz | 85°C1-18
Dimension DxH (mm)35.5×12, 35.5×16, 35.5× 10, 35.5× 12, 35.5× 16
Max. Weight (g)62-110
55°C1800-3000
자세한 정보

HTHC2F

Rated Voltage (V)10-125
Category Voltage (V)6-75
Surge Voltage (V)11-138
Nominal Capacitance (F)1100-100000
tg (%)30-180
ESR (Ω) 1kHz0,04-0,1
Leakage Current max. | 25°C300-500
Impedance max. (Ω) 100Hz | -55°C1-2,4
Max. Weight (g)84-119
85°C 120°C1800-3000
85°C50-160
자세한 정보

HTHC2FB

Rated Voltage (V)10-80
Category Voltage (V)6-95
Surge Voltage (V)11-385
Nominal Capacitance (F)5600-150000
tg (%)40-180
ESR (Ω) 1kHz0,03-0,1
Leakage Current max. | 25°C300-500
Impedance max. (Ω) 100Hz | 55°C1-1,6
Dimension DxH (mm)36×12, 36×16, 36×10
Max. Weight (g)76-118
85°C 120°C1800-3000
85°C90-160
자세한 정보

HTHC2W

Rated Voltage (V)10-125
Category Voltage (V)6-95
Surge Voltage (V)11-385
Nominal Capacitance (F)1100-150000
tg (%)30-180
ESR (Ω) 1kHz0,03-0,35
Leakage Current max. | 25°C300-500
Impedance max. (Ω) 100Hz | 55°C1-18
Dimension DxH (mm)35.5×12, 35.5×16, 35.5× 10, 35.5× 12, 35.5× 16, 35.5× 19
Weight (g)62-145
85°C 120°C1800-3000
85°C45-160
자세한 정보

HTHC2W3

Rated Voltage (V)50-80
Category Voltage (V)30-45
Surge Voltage (V)55-88
Nominal Capacitance (F)3000-24000
tg (%)20-70
ESR (Ω) 1kHz0,04-0,06
Leakage Current max. | 25°C200-500
Impedance max. (Ω) 100Hz | 55°C1,2-1,6
Dimension DxH (mm)35.5×16, 35.5×10, 35.5×12
Height of screw h (mm)8±0.5, 6-0.5
Negative pole height h16±0.5, 12min, 14±0.5
Max. Weight (g)65-110
85°C 120°C1200-3000
85°C30-135
자세한 정보

HTHCF

Rated Voltage (V)10-50
Category Voltage (V)6-95
Surge Voltage (V)11-55
Nominal Capacitance (F)8000-230000
tg (%)65-190
ESR (Ω) 1kHz0,03-0,07
Leakage Current max. | 25°C150-400
Impedance max. (Ω) 100Hz | 55°C1-1,2
Dimension DxH (mm)35.5×8, 35.5×12, 35.5×16, 35.5×20, 35.5×24, 35.5× 12
Weight (g)67-180
85°C 120°C900-2400
85°C120-160
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HTHC3

Rated Voltage (V)10-125
Nominal Capacitance (F)2200-230000
tg (%) | 25°C35-190
ESR (Ω) 1kHz | 25°C0,03-0,05
Leakage Current max. | 25°C300-500
Impedance max. (Ω) 100Hz | -55°C1-2,5
Dimension DxH (mm)35.5 x 20, 35.5 x 24, 35.5 x 18.4
Max. Weight (g)115-165
85°C 120°C1800-3000
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고성능 애플리케이션을 위한 하이브리드 탄탈룸 커패시터

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  • 견고한 설계 및 긴 서비스 수명
  • 다용도로 사용 가능
  • 강력한 파트너십을 통한 품질

하이브리드 탄탈룸 커패시터의 적용 분야

하이브리드 탄탈 커패시터는 현대 전자제품의 필수 요소로 자리 잡았습니다. 높은 에너지 밀도, 낮은 등가 직렬 저항(ESR), 뛰어난 장기 안정성 덕분에 수많은 하이테크 애플리케이션에서 사용되고 있습니다.

자동차 산업: 하이브리드 탄탈 커패시터는 제어 장치, 센서 및 전기 구동 시스템에서 안정적인 전원 공급을 보장합니다. 극심한 온도 변화를 견딜 수 있으며 첨단 운전자 보조 시스템(ADAS) 또는 전기 자동차의 배터리 관리 시스템과 같이 안전이 중요한 애플리케이션에서 안정적인 성능을 보장합니다.

통신: 고주파 모듈 및 네트워크 기술에서 핵심적인 역할을 합니다. 낮은 ESR은 기지국, 라우터 및 위성 통신에서 빠른 신호 처리와 효율적인 전력 전송을 가능하게 합니다.

의료 기술: 임플란트, 휴대용 진단 기기 및 의료 영상 시스템에서 하이브리드 탄탈 커패시터는 긴 수명을 가진 안정적인 에너지원을 제공합니다. 이러한 신뢰성은 중요한 장치에 매우 중요합니다.
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탄탈룸 커패시터

HTHC

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하이브리드 탄탈 커패시터 - 까다로운 애플리케이션을 위한 효율적인 에너지 스토리지

하이브리드 탄탈 커패시터는 최고의 신뢰성과 성능이 필요한 전자 애플리케이션을 위한 혁신적인 솔루션입니다. 기존 탄탈 커패시터의 장점과 전해 커패시터의 강점을 결합한 제품입니다. 그 결과 높은 에너지 밀도, 낮은 내부 저항(ESR), 뛰어난 장기 안정성을 갖춘 우수한 전기적 성능을 제공합니다.

이 커패시터는 자동차 엔지니어링, 통신, 의료 기술, 전력 전자 등 까다로운 산업 분야에 이상적입니다. 극한의 조건에서도 안정적인 전원 공급을 제공하며 최신 회로에서 컴팩트한 공간 절약형 설계를 보장합니다.

로티마는 공식 유통업체로서 홍다 커패시터와 긴밀히 협력하여 고품질의 하이브리드 탄탈 커패시터를 제공합니다. 프로젝트에 대한 경험, 기술 전문성, 빠르고 안정적인 배송을 통해 혜택을 누리십시오.

기타 다양한 커패시터 제품군:

전해 커패시터

전해 커패시터

전해 커패시터는 전해질을 전도성 매체로 사용하는 높은 정전 용량을 가진 특수 커패시터입니다. 전기 에너지를 저장하며 전원 공급 장치, 오디오 및 고주파 회로에 사용됩니다. 극성으로 인해 직류 회로에서만 사용할 수 있습니다. 일반적인 유형은 알루미늄, 탄탈륨 및 니오븀 전해 커패시터입니다.
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필름 커패시터

필름 커패시터

필름 커패시터는 유전체 플라스틱 필름으로 분리된 두 개의 금속 호일 또는 금속화된 플라스틱 필름을 전극으로 하는 에너지 저장용 전기 부품입니다. 높은 유전체 강도, 낮은 손실 및 긴 수명이 특징이며 전원 공급 장치, 모터 드라이브 및 고주파 기술과 같은 애플리케이션에 사용됩니다.
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세라믹 커패시터

세라믹 커패시터

세라믹 커패시터는 에너지 저장 및 신호 필터링용 전기 부품입니다. 세라믹 유전체와 금속판으로 구성됩니다. 장점: 높은 안정성, 낮은 손실, 빠른 충전 및 방전 시간. 스마트폰부터 산업용 제어 시스템에 이르기까지 전자 제품, 고주파 기술 및 전력 애플리케이션에 사용됩니다.
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하이브리드 탄탈룸 커패시터의 설계 및 기능

하이브리드 탄탈 커패시터는 기존 탄탈 커패시터의 입증된 기술과 전해 커패시터의 장점을 결합한 제품입니다. 하이브리드 커패시터의 핵심은 유전체로서 안정적인 산화물 층을 가진 탄탈륨 양극입니다. 여기에 전도성 폴리머 층 또는 액체 전해질로 보완되어 낮은 등가 직렬 저항(ESR)과 높은 정전 용량 안정성을 달성합니다.

이러한 하이브리드 설계 덕분에 높은 에너지 밀도, 낮은 누설 전류, 긴 서비스 수명을 제공합니다. 특히 자동차 엔지니어링, 통신 및 의료 기술 분야에서 안정적인 전원 공급을 보장합니다. 로티마는 공식 유통업체로서 까다로운 애플리케이션에 이상적인 홍다 커패시터의 고품질 하이브리드 탄탈룸 커패시터를 공급합니다.
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하이브리드 탄탈룸 커패시터에 대한 자세한 정보

FAQ 섹션에서는 하이브리드 탄탈룸 커패시터에 대해 가장 자주 묻는 질문에 대한 답변을 제공합니다. 기술적 세부 사항, 적용 분야, 다른 커패시터 유형과의 비교 등 모든 중요한 정보가 간결하고 이해하기 쉽게 요약되어 있습니다.

하이브리드 탄탈륨 커패시터는 기존 탄탈륨 커패시터와 어떻게 다른가요?

하이브리드 탄탈 커패시터는 기존 탄탈 커패시터의 기술과 전해 커패시터의 장점을 결합한 제품입니다. 기존 탄탈룸 커패시터는 산화물 유전체가 있는 고체 탄탈룸 양극과 망간 산화물 또는 폴리머 음극 재료를 사용하는 반면, 하이브리드 탄탈룸 커패시터는 전도성 액체 또는 젤을 전해질로 포함합니다.

따라서 등가 직렬 저항(ESR)이 현저히 낮고 더 높은 전류 전달 용량과 더 나은 전압 안정성을 제공합니다. 또 다른 장점은 온도 저항이 개선되어 전력 전자 및 자동차 기술 분야에 이상적이라는 점입니다. 하이브리드 구조 덕분에 손실을 줄이고 컴팩트한 설계가 가능하며 긴 서비스 수명을 보장합니다. 개발자는 특히 고주파 애플리케이션에서 향상된 신호 처리와 빠른 충전 및 방전 시간의 이점을 누릴 수 있습니다.
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하이브리드 탄탈룸 커패시터가 자동차 산업에 특히 적합한 이유는 무엇일까요?

하이브리드 탄탈 커패시터는 높은 온도와 전압 안정성을 제공하기 때문에 자동차 산업에서 없어서는 안 될 필수 요소입니다. 전자 제어 장치(ECU), 센서 및 첨단 운전자 보조 시스템(ADAS)은 극심한 온도 변화나 높은 습도 등 극한의 조건에서도 일정한 성능을 제공하는 안정적인 부품을 필요로 합니다.

낮은 ESR과 높은 전류 전달 용량 덕분에 전기 자동차의 배터리 관리 시스템(BMS) 또는 하이브리드 드라이브의 DC/DC 컨버터와 같은 고전류 애플리케이션에 이상적입니다. 또한 컴팩트한 디자인으로 최신 차량 아키텍처에 공간 절약형으로 통합할 수 있습니다.

탄탈 음극과 하이브리드 전해질의 조합 덕분에 기존 커패시터보다 수명이 길고 안전이 중요한 시스템에서 고장 위험을 줄여줍니다. 따라서 에너지 효율이 높은 최신 차량 기술의 핵심 구성 요소입니다.
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알루미늄 전해 커패시터에 비해 하이브리드 탄탈룸 커패시터의 장점은 무엇인가요?

알루미늄 전해 커패시터는 널리 사용되지만 누설 전류가 높고 수명이 제한적이며 온도 변동에 민감합니다. 반면 하이브리드 탄탈 커패시터는 ESR이 현저히 낮고 전압 안정성이 높으며 수명이 더 깁니다.

또한 더 컴팩트하고 특히 고주파 및 전력 전자 애플리케이션에서 더 효율적인 에너지 관리가 가능합니다. 알루미늄 전해 커패시터는 주파수 안정성에 한계가 있는 반면, 하이브리드 탄탈 커패시터는 높은 스위칭 주파수에 최적화되어 있습니다.

따라서 낮은 손실과 빠른 충전 및 방전 시간이 중요한 애플리케이션에 특히 적합합니다. 또한 하이브리드 탄탈 커패시터는 진동과 충격에 더 강하기 때문에 개발자는 기계적 안정성이 향상되는 이점을 누릴 수 있습니다. 따라서 의료 기술이나 항공 우주와 같이 안전이 중요한 애플리케이션에 선호되는 선택입니다.
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하이브리드 탄탈룸 커패시터에서 ESR은 어떤 역할을 하며 왜 중요한가요?

등가 직렬 저항(ESR)은 커패시터의 효율을 결정하는 결정적인 파라미터입니다. 이는 부품의 손실을 유발하고 성능에 영향을 미치는 내부 저항을 나타냅니다. 하이브리드 탄탈룸 커패시터는 특히 낮은 ESR이 특징이며, 이는 열의 형태로 손실되는 에너지가 적다는 것을 의미합니다.

이는 고주파 애플리케이션, DC/DC 컨버터 또는 고효율이 요구되는 스위칭 전원 공급 장치에서 특히 유리합니다. 또한 ESR이 낮으면 전원 공급 장치의 안정성이 향상되고 특히 스위칭 작업이 빠른 시스템에서 응답 시간이 빨라집니다.

또한 ESR이 낮으면 열 문제의 위험이 줄어들고 구성 요소의 수명이 연장됩니다. 따라서 개발자는 낮은 손실과 높은 신뢰성이 중요한 고성능 애플리케이션에서 하이브리드 탄탈 커패시터를 선호합니다.
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하이브리드 탄탈룸 커패시터를 전자 회로에 통합할 때 어떤 어려움이 있을까요?

하이브리드 탄탈 커패시터는 많은 장점을 제공하지만 통합할 때 몇 가지 어려움이 있습니다. 최상의 성능을 달성하려면 올바른 커패시턴스 및 전압 값을 신중하게 선택해야 합니다. 잘못된 치수는 효율 손실이나 부품 손상으로 이어질 수 있으므로 개발자는 전류 전달 용량 및 온도 범위에 대한 요구 사항을 신중하게 고려해야 합니다.

또 다른 문제는 회로 기판에서의 배치입니다. 커패시터는 기계적 스트레스에 민감하게 반응할 수 있으므로 안정적인 실장이 중요합니다. 또한 열 스트레스를 최소화하기 위해 최적의 열 방출이 가능한 영역에 배치해야 합니다. 기존 알루미늄 또는 세라믹 커패시터를 하이브리드 탄탈룸 커패시터로 교체하려면 특히 고주파 애플리케이션에서 회로 설계를 조정해야 하는 경우가 많습니다. 그러나 올바른 계획을 세우면 이러한 문제를 극복하고 하이브리드 기술의 이점을 충분히 활용할 수 있습니다.
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