
| 물리적 특성 | 01a. SMT 칩 (SBA 2512) | 01b. 고출력 (SBA 2550) | 02. High-Current (SBB 5930) | 03. 4선식 켈빈 (SBC 4026) | 04. 오픈 프레임 (SBD 4512/4524) | 05. 버스바 (EB-Welding) | 06. 맞춤형 펀칭 및 벤딩 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 정격 저항 (R) | 0,2 mΩ - 10 mΩ | 0.045 mΩ - 0.50 mΩ | 0,1 mΩ - 3,0 mΩ | 0,2 mΩ - 5,0 mΩ | 1 mΩ - 50 mΩ | 프로젝트별 | 프로젝트별 |
| 정격 출력 (P70) | 1.5 W - 6.0 W | 최대 12 W | 5.0 W - 15.0 W | 3.0 W - 12.0 W | 2.0 W - 5.0 W | 해석에 따르면 | 용도별 |
| 정격 전류 (Imax) | 데이터 시트에 따르면 | 데이터 시트에 따르면 | 데이터 시트에 따르면 | 데이터 시트에 따르면 | 데이터 시트에 따르면 | 프로젝트별 | 해석에 따르면 |
| 온도 계수 (TCR) | 표준 데이터 시트에 따름 / 재질 및 모델에 따라 다름 | 표준 데이터 시트에 따름 / 재질 및 모델에 따라 다름 | 표준 데이터 시트에 따름 / 재질 및 모델에 따라 다름 | 표준 데이터 시트에 따름 / 재질 및 모델에 따라 다름 | 표준 데이터 시트에 따름 / 재질 및 모델에 따라 다름 | 표준 데이터 시트에 따름 / 재질 및 모델에 따라 다름 | 표준 데이터 시트에 따름 / 재질 및 모델에 따라 다름 |
| 화력발전 대 구리 | 데이터 시트에 명시된 바와 같이, 합금 및 유형에 따라 낮음 | 데이터 시트에 명시된 바와 같이, 합금 및 유형에 따라 낮음 | 데이터 시트에 명시된 바와 같이, 합금 및 유형에 따라 낮음 | 데이터 시트에 명시된 바와 같이, 합금 및 유형에 따라 낮음 | 데이터 시트에 명시된 바와 같이, 합금 및 유형에 따라 낮음 | 데이터 시트에 명시된 바와 같이, 합금 및 유형에 따라 낮음 | 데이터 시트에 명시된 바와 같이, 합금 및 유형에 따라 낮음 |
| 허용 오차 등급 | 시리즈 및 저항값에 따라 | 1 %, 2 %, 5 % | 1 %, 5 % | 1 %, 2 %, 5 % | 1 %, 3 %, 5 % | 프로젝트별 | 프로젝트별 |
| 자기 인덕턴스 (L) | 유도 효과가 적은 | 유도 효과가 적은 | 유도 효과가 적은 | 감소됨 (4선식) | 유도 효과가 적은 | 기하학적 조건에 따라 | 기하학적 조건에 따라 |
| 접합 공정 / 재료 | 망가닌/알루크롬 | 망가닌/알루크롬 | Cu-Mn / NiCr | 망가닌 / OF-Cu | 전자빔 | 진공 EB 용접 | 펀칭·벤딩 / 망가닌 |
| 특징 | 평면형 칩 구조 | 확장된 서비스 | 거대한 구리 덩어리 | 별도의 전압 인출 | 분리된 기하학 | 모놀리식 레일 | 릴레이/전기계량기 직접 장착 |
| 주요 용도 | 전자 / 조립체 | 전력 전자공학 | 구동 인버터 / 전기차(EV) | 측정 시스템 / 계량기 | 팬이 없는 케이스 | BMS / 구동 배터리 | 래칭 릴레이 / e-미터 |
| 표준 / 품질경영시스템(QMS) | IATF 16949 (품질경영시스템) | IATF 16949 (품질경영시스템) | IATF 16949 (품질경영시스템) | IATF 16949 (품질경영시스템) | IATF 16949 (품질경영시스템) | IATF 16949 (품질경영시스템) | ISO 9001 (QMS) |
| 정격 저항 범위 | 프로젝트별 (예: 서브 밀리옴) |
| 정격 연속 전류 | 요구 사항에 따라 프로젝트별로 설계됨 |
| 접촉 레일 접합 공정 | 진공 EB 용접 |
| 재료 조합 | OF-CU / Manganin / Aluchrom |
| 기계적 연결 | CAD 도면에 따른 나사 체결 또는 용접 연결 |
| 공차 및 TCR | 프로젝트 사양 및 데이터 시트에 따라 |
| 표준 준수 | 프로젝트 기반 자격 평가 |
| 정격 저항 범위 | 0,2 mΩ ~ 10,0 mΩ |
| 정격 출력 (P70) | 1.5 W ~ 6.0 W (크기에 따라 다름) |
| 저항 허용 오차 등급 | 시리즈 및 저항값에 따라 |
| 온도 계수 (TCR) | 해당 시리즈의 데이터 시트에 따라 |
| 구리에 대한 열전압 | < 1 µV/K |
| 사용 온도 범위 | -55 °C ~ +170 °C |
| 하우징 구조 | SMD / SMT 2512 |
| 저항 재료 | Cu-Mn-Sn / Cu-Mn / Aluchrom / NiCr (제품 유형에 따라 다름) |
| 생산 기준 | 제조업체 품질경영시스템(QMS): IATF 16949 / ISO 9001 |
| 정격 저항 범위 | 0,1 mΩ ~ 1,0 mΩ |
| 정격 출력 (P70) | 표준 포트폴리오에서 최대 12W |
| 저항 허용 오차 등급 | 1 %, 2 %, 5 % |
| 온도 계수 (TCR) | 해당 시리즈의 데이터 시트에 따라 |
| 구리에 대한 열전압 | < 1 µV/K |
| 하우징 구조 | SMD / SMT 2550 |
| 저항 재료 | 망가닌 / 알루크롬 |
| 생산 기준 | IATF 16949 / ISO 9001 인증을 받은 제조업체 |
| 저항 허용 오차 등급 | 1 %, 5 % |
| 온도 계수 (TCR) | 해당 시리즈의 데이터 시트에 따라 |
| 하우징 구조 | SMD / SMT 5930 |
| 정격 저항 범위 | 0,1 mΩ ~ 3,0 mΩ |
| 정격 출력 (P70) | 5.0 W ~ 15.0 W |
| 저항 재료 | Cu-Mn-Sn / Cu-Mn / NiCr / 알루크롬 (제품 유형에 따라 다름) |
| 한계치 / 펄스 부하 | 검증된 제조업체 사양서에 따라 |
| 생산 인증 | 품질경영시스템 IATF 16949 |
| 정격 저항 범위 | 0,2 mΩ ~ 5,0 mΩ |
| 정격 출력 (P70) | 3.0 W ~ 12.0 W |
| 저항 허용 오차 등급 | 4선식 (켈빈 원리) |
| 온도 계수 (TCR) | 1 %, 2 %, 5 % |
| 하우징 구조 | 해당 시리즈의 데이터 시트에 따라 |
| 생산 기준 | SMD 4026 |
| 연결 토폴로지 | IATF 16949 / ISO 9001 인증을 받은 제조업체 |
| 정격 출력 (P70) | 2.0 W ~ 5.0 W |
| 연결 토폴로지 | 4선식 (켈빈 원리) |
| 저항 허용 오차 등급 | 1 %, 3 %, 5 % |
| 온도 계수 (TCR) | 사이즈/모델에 따라, 표준 데이터시트에 명시된 대로 |
| 하우징 구조 | 사이즈/모델에 따라, 표준 데이터시트에 명시된 대로 |
| 생산 기준 | 사이즈/모델에 따라, 표준 데이터시트에 명시된 대로 |
| 정격 저항 범위 | 1,0 - 50,0 mΩ |

| 매개변수 / 물리적 특성 | 지정된 성능 범위 (ROTIMA 포트폴리오) |
|---|---|
| 정격 저항 범위 (R) | 0.025 mΩ부터; 프로젝트별 맞춤형 값 |
| 정격 출력 (P70) | 1.5 W ~ 15.0 W (표준 SMD 제품군); 더 높은 출력은 프로젝트별로 맞춤 제공 |
| 온도 계수 (TCR) | 데이터 시트에 명시된 바와 같이, 소재 및 제품군에 따라 TCR 값이 낮음 |
| 구리에 대한 열전압 (열기전력) | 저항 합금에 따라 발생하는 열 응력이 적음 |
| 저항 허용 오차 등급 | 시리즈 및 저항값에 따라 표준 데이터시트에 명시된 대로; 표준 제품군에는 1%, 2%, 3%, 4%, 5% 및 10% 등이 포함됨 |
| 기생 자기 인덕턴스 (L) | 고주파 스위칭 동작을 위한 저유도 형상 |
| 사용 온도 범위 | -55 °C ~ +170 °C (제품 시리즈 사양에 따름) |