正向电压(Vf)决定了电子元件整流器的功率损耗。硅二极管的额定电流为 0.7-1.1 V,肖特基二极管为 0.2-0.5 V,碳化硅二极管为 1.2-1.6 V。功率损耗由 P_V = Vf × I_F(AV)计算得出,在 10 A 连续电流下,功率损耗为 7-11 W(硅二极管)或 2-5 W(肖特基二极管)。硅二极管的 Vf 值随温度升高 +2 mV/K,而肖特基二极管则随温度降低 -2 mV/K。对于大电流应用,具有电流平衡功能的并联二极管或作为同步整流器的MOSFET(R_DS(on) = 10-50 mΩ)效率更高。热设计基于 R_thJC + R_thCS