yalıtılmış kapılı bipolar transistör

IGBT olarak da bilinen yalıtılmış kapı elektrotlu bir bipolar transistör, bipolar transistörün yüksek akım iletkenliğini bir MOSFET'in voltaj kontrollü aktivasyonuyla birleştirir. Kontrol elektrodu ana akım yolundan galvanik olarak izole edilmiştir, bu da sadece minimum kontrol akımının gerekli olduğu anlamına gelir.

Ortağımız Bourns'un BID serisi, hendek kapılı alan durdurma teknolojisini kullanmaktadır. Bu yapı anahtarlama davranışının daha iyi kontrol edilebilmesini sağlar, anahtarlama kayıplarını azaltır ve kollektör-emitör doyma gerilimini düşürür. Yüksek sağlamlık ve düşük termal direnç (RTH), sürekli yük altında bile güvenilir çalışma sağlar.

Bu tip IGBT'ler yüksek voltaj ve yüksek akım uygulamalarında kullanım için optimize edilmiştir ve diğerlerinin yanı sıra anahtarlamalı güç kaynaklarında, PFC devrelerinde ve endüstriyel sürücülerde kullanılır.

Yalıtılmış kapı elektroduna sahip bipolar transistörler, yüksek gerilimleri ve akımları verimli bir şekilde anahtarlayabildikleri için modern güç elektroniğinde vazgeçilmez hale gelmiştir. Özellikle anahtarlamalı güç kaynaklarında (SMPS), yüksek enerji verimliliğine sahip kompakt bir tasarım sağlarlar. Düşük anahtarlama kayıpları ve düşük doyma gerilimi sayesinde IGBT'ler, enerji tasarrufu ve termal kararlılığın çok önemli olduğu endüstriyel uygulamalar için idealdir.

Kesintisiz güç kaynaklarında (UPS), şebeke arızaları durumunda bile güvenilir ve kesintisiz bir güç kaynağı sağlarlar. PFC (Güç Faktörü Düzeltme) devrelerinde, güç faktörünü optimize etmeye ve şebeke pertürbasyonlarını en aza indirmeye yardımcı olurlar.

Ortağımız Bourns'un BID serisi bunun için doğru teknolojiyi sunuyor: yüksek sağlamlık, optimize edilmiş termal özellikler ve hendek kapılı alan durdurma yapıları sayesinde hassas kontrol edilebilirlik. Distribütör olarak ROTIMA, ister endüstriyel tahrik sistemleri, güç kaynakları veya otomasyon teknolojisi için olsun, uygulamanız için özelleştirilmiş bu çözümleri tedarik etmektedir.