Een bipolaire transistor met een geïsoleerde gate-elektrode - ook bekend als een IGBT - combineert de hoge stroomgeleiding van een bipolaire transistor met de spanningsgestuurde activering van een MOSFET. De stuurelektrode is galvanisch gescheiden van het hoofdstroompad, wat betekent dat er slechts een minimale stuurstroom nodig is.
De BID-serie van onze partner Bourns maakt gebruik van trench-gate field-stop technologie. Deze structuur maakt een betere beheersbaarheid van het schakelgedrag mogelijk, vermindert de schakelverliezen en verlaagt de collector-emitter verzadigingsspanning. De hoge robuustheid en lage thermische
weerstand (RTH) zorgen voor een betrouwbare werking, zelfs bij continue belasting.
IGBT's van dit type zijn geoptimaliseerd voor gebruik in hoogspannings- en sterkstroomtoepassingen en worden onder andere gebruikt in schakelende voedingen, PFC-schakelingen en industriële aandrijvingen.