Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode
- Geringe Schaltverluste dank Trench-Gate Field-Stop-Technologie
- Hohe Strom- und Spannungsfestigkeit für industrielle Dauerlast
- Optimale Lösung für SMPS, UPS und PFC-Anwendungen
Über 60 Jahre Erfahrung
in der Elektrotechnik- und Elektronikbranche
Kurze Lieferzeiten
durch optimierte Lagerhaltung
Deutschland und Schweiz
Doppelte Standortstärke und Zuverlässigkeit
Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode von Bourns im Sortiment
Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode für Hochstromanwendungen
Ein Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode – auch IGBT genannt – kombiniert die stromstarke Leitfähigkeit eines Bipolartransistors mit der spannungsgesteuerten Ansteuerung eines MOSFETs. Die Steuerelektrode ist galvanisch vom Hauptstrompfad isoliert, wodurch nur ein minimaler Steuerstrom erforderlich ist.
Bei der BID-Serie unseres Partners Bourns kommt die Trench-Gate Field-Stop-Technologie zum Einsatz. Diese Struktur ermöglicht eine verbesserte Steuerbarkeit des Schaltverhaltens, reduziert die Schaltverluste und senkt die Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung. Die hohe Robustheit und der niedrige thermische Widerstand (RTH) sorgen für einen zuverlässigen Betrieb auch unter Dauerlast.
IGBTs dieser Bauart sind für den Einsatz in Hochspannungs- und Hochstromanwendungen optimiert und werden u. a. in Schaltnetzteilen, PFC-Schaltungen und industriellen Antrieben eingesetzt.
Bei der BID-Serie unseres Partners Bourns kommt die Trench-Gate Field-Stop-Technologie zum Einsatz. Diese Struktur ermöglicht eine verbesserte Steuerbarkeit des Schaltverhaltens, reduziert die Schaltverluste und senkt die Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung. Die hohe Robustheit und der niedrige thermische Widerstand (RTH) sorgen für einen zuverlässigen Betrieb auch unter Dauerlast.
IGBTs dieser Bauart sind für den Einsatz in Hochspannungs- und Hochstromanwendungen optimiert und werden u. a. in Schaltnetzteilen, PFC-Schaltungen und industriellen Antrieben eingesetzt.
Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode für SMPS und PFC Systeme
Bidirektionale Steuerung mit Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode
Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode für SMPS Anwendungen
Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode sind in der modernen Leistungselektronik nicht mehr wegzudenken, da sie hohe Spannungen und Ströme effizient schalten können. Besonders in Schaltnetzteilen (SMPS) ermöglichen sie eine kompakte Bauweise bei gleichzeitig hoher Energieeffizienz. Dank der niedrigen Schaltverluste und der geringen Sättigungsspannung eignen sich IGBTs ideal für industrielle Anwendungen, bei denen Energieeinsparung und thermische Stabilität entscheidend sind.
In unterbrechungsfreien Stromversorgungen (UPS) sorgen sie für eine zuverlässige und unterbrechungsfreie Energiezufuhr – auch bei Netzstörungen. In PFC-Schaltungen (Power Factor Correction) tragen sie zur Optimierung des Leistungsfaktors bei und minimieren Netzrückwirkungen.
Die BID-Serie unseres Partners Bourns bietet dafür die passende Technologie: hohe Robustheit, optimierte thermische Eigenschaften und präzise Steuerbarkeit durch Trench-Gate Field-Stop-Strukturen. Als Distributor liefert ROTIMA diese Lösungen passgenau für Ihre Anwendung – ob für industrielle Antriebssysteme, Energieversorgungen oder Automatisierungstechnik.
In unterbrechungsfreien Stromversorgungen (UPS) sorgen sie für eine zuverlässige und unterbrechungsfreie Energiezufuhr – auch bei Netzstörungen. In PFC-Schaltungen (Power Factor Correction) tragen sie zur Optimierung des Leistungsfaktors bei und minimieren Netzrückwirkungen.
Die BID-Serie unseres Partners Bourns bietet dafür die passende Technologie: hohe Robustheit, optimierte thermische Eigenschaften und präzise Steuerbarkeit durch Trench-Gate Field-Stop-Strukturen. Als Distributor liefert ROTIMA diese Lösungen passgenau für Ihre Anwendung – ob für industrielle Antriebssysteme, Energieversorgungen oder Automatisierungstechnik.
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Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode für industrielle Anwendungen
Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode sind in der modernen Leistungselektronik nicht mehr wegzudenken, da sie hohe Spannungen und Ströme effizient schalten können. Besonders in Schaltnetzteilen (SMPS) ermöglichen sie eine kompakte Bauweise bei gleichzeitig hoher Energieeffizienz. Dank der niedrigen Schaltverluste und der geringen Sättigungsspannung eignen sich IGBTs ideal für industrielle Anwendungen, bei denen Energieeinsparung und thermische Stabilität entscheidend sind.
In unterbrechungsfreien Stromversorgungen (UPS) sorgen sie für eine zuverlässige und unterbrechungsfreie Energiezufuhr – auch bei Netzstörungen. In PFC-Schaltungen (Power Factor Correction) tragen sie zur Optimierung des Leistungsfaktors bei und minimieren Netzrückwirkungen.
Die BID-Serie unseres Partners Bourns bietet dafür die passende Technologie: hohe Robustheit, optimierte thermische Eigenschaften und präzise Steuerbarkeit durch Trench-Gate Field-Stop-Strukturen. Als Distributor liefert ROTIMA diese Lösungen passgenau für Ihre Anwendung – ob für industrielle Antriebssysteme, Energieversorgungen oder Automatisierungstechnik.
In unterbrechungsfreien Stromversorgungen (UPS) sorgen sie für eine zuverlässige und unterbrechungsfreie Energiezufuhr – auch bei Netzstörungen. In PFC-Schaltungen (Power Factor Correction) tragen sie zur Optimierung des Leistungsfaktors bei und minimieren Netzrückwirkungen.
Die BID-Serie unseres Partners Bourns bietet dafür die passende Technologie: hohe Robustheit, optimierte thermische Eigenschaften und präzise Steuerbarkeit durch Trench-Gate Field-Stop-Strukturen. Als Distributor liefert ROTIMA diese Lösungen passgenau für Ihre Anwendung – ob für industrielle Antriebssysteme, Energieversorgungen oder Automatisierungstechnik.
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