A szigetelt kapuelektródával ellátott bipoláris tranzisztor - más néven IGBT - egyesíti a bipoláris tranzisztor nagyáramú vezetőképességét a MOSFET feszültségvezérelt aktiválásával. A vezérlőelektróda galvanikusan el van szigetelve a fő áramútvonaltól, ami azt jelenti, hogy csak minimális vezérlőáramra van szükség.
Partnerünk, a Bourns BID-sorozata trench-gate field-stop technológiát alkalmaz. Ez a szerkezet lehetővé teszi a kapcsolási viselkedés jobb szabályozhatóságát, csökkenti a kapcsolási veszteségeket és csökkenti a kollektor-emitter telítési feszültséget. A nagy robusztusság és az alacsony
hőellenállás (RTH) még folyamatos terhelés mellett is megbízható működést biztosít.
Az ilyen típusú IGBT-ket nagyfeszültségű és nagyáramú alkalmazásokhoz optimalizálták, és többek között kapcsolóüzemű tápegységekben, PFC áramkörökben és ipari meghajtásokban használják.