Q: Miksi bipolaaritransistori, jossa on eristetty porttielektrodi, soveltuu PFC-piireihin?

Bipolaaritransistori, jossa on eristetty porttielektrodi, soveltuu erityisen hyvin tehokertoimen korjauspiireihin (PFC), koska se pystyy käsittelemään jännite- ja virtapiikkejä tehokkaasti. Näissä sovelluksissa on ratkaisevan tärkeää suunnitella virtalähde verkkoystävälliseksi ja välttää sähköverkkoon kohdistuvat takaisinkytkentävaikutukset. IGBT:t tarjoavat selviä etuja muihin puolijohdetyyppeihin verrattuna, koska niiden kytkentähäviöt ovat pienet, dielektrinen lujuus on suuri ja lämpöstabiili. Bournsin BID-sarjassa käytetään trench-gate-kenttäpysäytystekniikkaa, ja se on suunniteltu jatkuvaan kuormitukseen. Jakelijana ROTIMA tarjoaa sopivia ratkaisuja eri teholuokkiin - pienikokoisista kokoonpanoista suuriin teollisuusjärjestelmiin. Asiakkaamme hyötyvät asiantuntevasta neuvonnasta, nopeista toimitusajoista ja korkealaatuisista komponenteista, jotka on räätälöity tarkasti nykyaikaisten PFC-järjestelmien vaatimuksiin. Näin vaativia energiaverkkoja voidaan käyttää tehokkaasti ja standardien mukaisesti.

Q: Mitä etuja bipolaaritransistori, jossa on eristetty porttielektrodi, tarjoaa jatkuvatoimisissa järjestelmissä?

Bipolaaritransistori, jossa on eristetty porttielektrodi, on ihanteellinen jatkuvassa käytössä oleviin järjestelmiin, sillä se toimii luotettavasti myös suurissa kuormituksissa. Porttielektrodi on sähköisesti eristetty, ja se vaatii vain minimaalisen ohjausvirran, mikä tekee ohjaimesta erityisen energiatehokkaan. Graaviportin kenttäpysäytystekniikka takaa myös optimaalisen lämmönjakautumisen ja vähentää lämpökuormaa. Tuloksena on kestävä komponentti, jonka toimintavarmuus on korkea - myös jatkuvassa kuormituksessa. Tämä on ratkaiseva etu erityisesti keskeytymättömissä virtalähteissä (UPS) tai teollisuuden ohjausjärjestelmissä. ROTIMA jakelee tällaisia IGBT:itä tiiviissä yhteistyössä Bournsin kanssa ja tarjoaa korkealaatuisten komponenttien lisäksi myös kattavaa teknistä tukea. Asiakkaamme saavat räätälöityjä suosituksia omaa sovellustaan varten aina tuotteen valinnasta integrointiin monimutkaisiin järjestelmiin.

Question 1

Mikä on bipolaaritransistori, jossa on eristetty porttielektrodi, ja miten se toimii?

Accepted Answer

Bipolaarinen transistori, jossa on eristetty porttielektrodi suurvirtasovelluksia varten

Bipolaarinen transistori, jossa on eristetty porttielektrodi - tunnetaan myös nimellä IGBT - yhdistää bipolaarisen transistorin suuren virranjohtavuuden ja MOSFET:n jänniteohjatun aktivoinnin. Ohjauselektrodi on galvaanisesti eristetty päävirtaradasta, mikä tarkoittaa, että ohjausvirtaa tarvitaan vain vähän.

Yhteistyökumppanimme Bournsin BID-sarjassa käytetään trench-gate-kenttäpysäytystekniikkaa. Tämä rakenne mahdollistaa kytkentäkäyttäytymisen paremman hallittavuuden, vähentää kytkentähäviöitä ja alentaa kollektori-emitteri-kyllästymisjännitettä. Korkea kestävyys ja alhainen lämpöresistanssi (RTH) takaavat luotettavan toiminnan myös jatkuvassa kuormituksessa.

Tämäntyyppiset IGBT:t on optimoitu käytettäväksi suurjännite- ja suurvirtasovelluksissa, ja niitä käytetään muun muassa kytkentävirtalähteissä, PFC-piireissä ja teollisuuskäytöissä.

Question 2

Milloin käytetään bipolaaritransistoria, jossa on eristetty porttielektrodi?

Accepted Answer

Bipolaaritransistoria, jossa on eristetty porttielektrodi, käytetään aina, kun suuria jännitteitä ja virtoja on kytkettävä tehokkaasti - esimerkiksi teollisessa tehoelektroniikassa. Tyypillisiä sovellusalueita ovat kytkentätoimiset virtalähteet (SMPS), keskeytymättömät virtalähteet (UPS), PFC-piirit ja moottorinohjaukset. IGBT on oikea valinta erityisesti silloin, kun tarvitaan nopeita kytkentäaikoja, pieniä häviöitä ja suurta termistä kuormitettavuutta. Yhteistyökumppanimme Bournsin BID-sarja täyttää nämä vaatimukset nykyaikaisella trench-gate-kenttäpysäytystekniikalla. Se takaa pienemmät kytkentähäviöt ja suuremman toimintavarmuuden. ROTIMA jakelee näitä komponentteja erityisesti sovelluksiin, joissa suorituskyky, tehokkuus ja pitkäikäisyys ovat ensiarvoisen tärkeitä. Kokeneena jälleenmyyjänä tuemme asiakkaitamme paitsi valinnassa myös integroinnissa olemassa oleviin järjestelmiin - asiantuntevalla neuvonnalla ja lyhyillä toimitusajoilla.

Question 3

Miksi bipolaaritransistori, jossa on eristetty porttielektrodi, soveltuu PFC-piireihin?

Accepted Answer

Bipolaaritransistori, jossa on eristetty porttielektrodi SMPS-sovelluksiin

Bipolaaritransistoreista, joissa on eristetty porttielektrodi, on tullut välttämättömiä nykyaikaisessa tehoelektroniikassa, koska ne pystyvät kytkemään suuria jännitteitä ja virtoja tehokkaasti. Erityisesti kytkentätoimisissa virtalähteissä (SMPS) ne mahdollistavat kompaktin rakenteen ja korkean energiatehokkuuden. Pienten kytkentähäviöiden ja alhaisen kyllästysjännitteen ansiosta IGBT:t soveltuvat erinomaisesti teollisiin sovelluksiin, joissa energiansäästö ja lämmönkestävyys ovat ratkaisevia.

Keskeytymättömissä virtalähteissä (UPS) ne takaavat luotettavan ja keskeytymättömän virransyötön - myös verkkovikojen sattuessa. PFC-piireissä (tehokertoimen korjaus) ne auttavat optimoimaan tehokertoimen ja minimoimaan verkon häiriöt.

Yhteistyökumppanimme Bournsin BID-sarja tarjoaa tähän oikeaa tekniikkaa: suurta kestävyyttä, optimoituja lämpöominaisuuksia ja tarkkaa ohjattavuutta trench-gate-kentänpysäytysrakenteiden ansiosta. Jälleenmyyjänä ROTIMA toimittaa nämä ratkaisut räätälöitynä sovellukseesi - olipa kyse sitten teollisuuden käyttöjärjestelmistä, virtalähteistä tai automaatiotekniikasta.

Question 4

Mitä etuja bipolaaritransistori, jossa on eristetty porttielektrodi, tarjoaa jatkuvatoimisissa järjestelmissä?

Accepted Answer

Bipolaaritransistori, jossa on eristetty porttielektrodi SMPS-sovelluksiin

Bipolaaritransistoreista, joissa on eristetty porttielektrodi, on tullut välttämättömiä nykyaikaisessa tehoelektroniikassa, koska ne pystyvät kytkemään suuria jännitteitä ja virtoja tehokkaasti. Erityisesti kytkentätoimisissa virtalähteissä (SMPS) ne mahdollistavat kompaktin rakenteen ja korkean energiatehokkuuden. Pienten kytkentähäviöiden ja alhaisen kyllästysjännitteen ansiosta IGBT:t soveltuvat erinomaisesti teollisiin sovelluksiin, joissa energiansäästö ja lämmönkestävyys ovat ratkaisevia.

Keskeytymättömissä virtalähteissä (UPS) ne takaavat luotettavan ja keskeytymättömän virransyötön - myös verkkovikojen sattuessa. PFC-piireissä (tehokertoimen korjaus) ne auttavat optimoimaan tehokertoimen ja minimoimaan verkon häiriöt.

Yhteistyökumppanimme Bournsin BID-sarja tarjoaa tähän oikeaa tekniikkaa: suurta kestävyyttä, optimoituja lämpöominaisuuksia ja tarkkaa ohjattavuutta trench-gate-kentänpysäytysrakenteiden ansiosta. Jälleenmyyjänä ROTIMA toimittaa nämä ratkaisut räätälöitynä sovellukseesi - olipa kyse sitten teollisuuden käyttöjärjestelmistä, virtalähteistä tai automaatiotekniikasta.

Question 5

Mitä eroa on bipolaarisen transistorin, jossa on eristetty porttielektrodi, ja MOSFET:n välillä?

Accepted Answer

Bipolaarinen transistori, jossa on eristetty porttielektrodi suurvirtasovelluksia varten

Bipolaarinen transistori, jossa on eristetty porttielektrodi - tunnetaan myös nimellä IGBT - yhdistää bipolaarisen transistorin suuren virranjohtavuuden ja MOSFET:n jänniteohjatun aktivoinnin. Ohjauselektrodi on galvaanisesti eristetty päävirtaradasta, mikä tarkoittaa, että ohjausvirtaa tarvitaan vain vähän.

Yhteistyökumppanimme Bournsin BID-sarjassa käytetään trench-gate-kenttäpysäytystekniikkaa. Tämä rakenne mahdollistaa kytkentäkäyttäytymisen paremman hallittavuuden, vähentää kytkentähäviöitä ja alentaa kollektori-emitteri-kyllästymisjännitettä. Korkea kestävyys ja alhainen lämpöresistanssi (RTH) takaavat luotettavan toiminnan myös jatkuvassa kuormituksessa.

Tämäntyyppiset IGBT:t on optimoitu käytettäväksi suurjännite- ja suurvirtasovelluksissa, ja niitä käytetään muun muassa kytkentävirtalähteissä, PFC-piireissä ja teollisuuskäytöissä.

Series	Package	Feature	VCE [V]	IC @ T=100 ˚C [A]	Typ. VCE(sat) @ Ic, Vge=15 V [V]	IF @ T=100 ˚C [A]	Operating Junction Temperature
BIDD05N60T	TO-252	Medium speed	600	5	1.5	N/A	–55 °C to +150 °C
BIDW20N60T	TO-247	Medium speed	600	20	1.7	20	–55 °C to +150 °C
BIDW30N60T	TO-247	Medium speed	600	30	1.65	30	–55 °C to +150 °C
BIDW50N65T	TO-247	Medium speed	650	50	1.65	50	–55 °C to +150 °C
BIDNW30N60H3	TO-247N	High speed	600	30	1.65	12	–55 °C to +150 °C
BIDW40N65H5	TO-247	High speed	650	40	1.65	20	–40 °C to +175 °C
BIDW40N65ES5	TO-247	Efficient Medium Speed	650	40	1.35	40	–40 °C to +175 °C
BIDW75N65EH5	TO-247	Efficient High Speed	650	75	1.65	75	–40 °C to +175 °C
BIDW75N65ES5	TO-247	Efficient Medium Speed	650	75	1.42	75	–40 °C to +175 °C

eristetyn portin bipolaaritransistori

Bournsin eristetyn portin bipolaaritransistorivalikoima

Bipolaarinen transistori, jossa on eristetty porttielektrodi suurvirtasovelluksia varten

Bipolaaritransistori, jossa on eristetty porttielektrodi SMPS- ja PFC-järjestelmiä varten

Kaksisuuntainen ohjaus bipolaarisella transistorilla, jossa on eristetty porttielektrodi

Bipolaaritransistori, jossa on eristetty porttielektrodi SMPS-sovelluksiin

Bipolaaritransistori, jossa on eristetty porttielektrodi teollisiin sovelluksiin

Onko sinulla kysyttävää seuraavista asioista: