En bipolær transistor med en isoleret gate-elektrode - også kendt som en IGBT - kombinerer en bipolær transistors højstrømsledningsevne med en MOSFET's spændingsstyrede aktivering. Kontrolelektroden er galvanisk isoleret fra hovedstrømvejen, hvilket betyder, at der kun kræves en minimal kontrolstrøm.
BID-serien fra vores partner Bourns anvender trench-gate field-stop-teknologi. Denne struktur giver bedre mulighed for at styre koblingsadfærden, reducerer koblingstab og sænker mætningsspændingen mellem kollektor og emitter. Den høje robusthed og lave termiske
modstand (RTH) sikrer pålidelig drift, selv under kontinuerlig belastning.
IGBT'er af denne type er optimeret til brug i højspændings- og højstrømsapplikationer og bruges bl.a. i switching-strømforsyninger, PFC-kredsløb og industrielle drev.