Tranzistoarele au la bază un material semiconductor, de obicei siliciu, care este împărțit în trei zone: colector, bază și emițător. În industria electronică, acestea sunt utilizate pentru comutarea sau amplificarea semnalelor electrice. Tranzistoarele IGBT, cum ar fi cele oferite de Bourns, combină tehnologia porților MOS cu conductivitatea bipolară. Această structură permite viteze mari de comutare, disipare redusă de energie și performanțe termice robuste.
Datorită tehnologiei moderne de oprire a câmpului de tip trench-gate, comportamentul dinamic al tranzistoarelor este optimizat. Acest lucru reduce tensiunea de saturație colector-emitor (VCE(sat)), rezultând o eficiență energetică mai mare și pierderi de comutare mai mici.