I transistor sono costituiti da materiale semiconduttore al loro interno, di solito silicio, suddiviso in tre aree: collettore, base ed emettitore. Nell'industria elettronica sono utilizzati per commutare o amplificare segnali elettrici. I transistor IGBT, come quelli offerti da Bourns, combinano la tecnologia del gate MOS con la conduttività bipolare. Questa struttura consente elevate velocità di commutazione, bassa dissipazione di potenza e robuste prestazioni termiche.
Grazie alla moderna tecnologia trench-gate field-stop, il comportamento dinamico dei transistor è ottimizzato. Ciò riduce la tensione di saturazione collettore-emettitore (VCE(sat)), con conseguente aumento dell'efficienza energetica e riduzione delle perdite di commutazione.