Transistoren bestehen im Kern aus Halbleitermaterial, meist Silizium, das in drei Bereiche unterteilt ist: Kollektor, Basis und Emitter. In der Elektronik-Branche dienen sie dazu, elektrische Signale zu schalten oder zu verstärken. Bei IGBT-Transistoren, wie sie von Bourns angeboten werden, wird die MOS-Gate-Technologie mit bipolarer Leitfähigkeit kombiniert. Diese Struktur ermöglicht hohe Schaltgeschwindigkeiten, niedrige Verlustleistungen und eine robuste thermische Belastbarkeit.
Dank moderner Trench-Gate Field-Stop Technologie wird das dynamische Verhalten der Transistoren optimiert. Dadurch verringert sich der Collector-Emitter-Sättigungsspannungswert (VCE(sat)), was zu höherer Energieeffizienz und geringeren Schaltverlusten führt.