Le cœur des transistors est constitué d'un matériau semi-conducteur, généralement du silicium, divisé en trois zones : le collecteur, la base et l'émetteur. Dans le secteur de l'électronique, ils servent à commuter ou à amplifier des signaux électriques. Les transistors IGBT, tels que ceux proposés par Bourns, combinent la technologie de la grille MOS et la conductivité bipolaire. Cette structure permet des vitesses de commutation élevées, de faibles pertes de puissance et une résistance thermique robuste.
Grâce à la technologie moderne Trench-Gate Field-Stop, le comportement dynamique des transistors est optimisé. Cela permet de réduire la valeur de la tension de saturation collecteur-émetteur (VCE(sat)), ce qui se traduit par une meilleure efficacité énergétique et une réduction des pertes de commutation.