A tranzisztorok magja félvezető anyagból, általában szilíciumból áll, amely három területre oszlik: kollektor, bázis és emitter. Az elektronikai iparban elektromos jelek kapcsolására vagy erősítésére használják őket. Az IGBT-tranzisztorok, mint például a Bourns által kínáltak, a MOS-kapu technológiát kombinálják a bipoláris vezetőképességgel. Ez a struktúra nagy kapcsolási sebességet, alacsony fogyasztási veszteséget és robusztus termikus teljesítményt tesz lehetővé.
A modern trench-gate mező-megállító technológiának köszönhetően a tranzisztorok dinamikus viselkedése optimalizált. Ez csökkenti a kollektor-emitter telítési feszültséget (VCE(sat)), ami nagyobb energiahatékonyságot és alacsonyabb kapcsolási veszteségeket eredményez.