Os transístores são constituídos por material semicondutor no seu núcleo, geralmente silício, que se divide em três áreas: coletor, base e emissor. Na indústria eletrónica, são utilizados para comutar ou amplificar sinais eléctricos. Os transístores IGBT, como os oferecidos pela Bourns, combinam a tecnologia de porta MOS com a condutividade bipolar. Esta estrutura permite altas velocidades de comutação, baixa dissipação de energia e desempenho térmico robusto.
Graças à moderna tecnologia trench-gate field-stop, o comportamento dinâmico dos transístores é optimizado. Isto reduz a tensão de saturação coletor-emissor (VCE(sat)), resultando numa maior eficiência energética e em menores perdas de comutação.