Transistors bestaan in hun kern uit halfgeleidermateriaal, meestal silicium, dat verdeeld is in drie gebieden: collector, basis en emitter. In de elektronica-industrie worden ze gebruikt om elektrische signalen te schakelen of te versterken. IGBT-transistors, zoals die van Bourns, combineren MOS-gatechnologie met bipolaire geleiding. Deze structuur maakt hoge schakelsnelheden, lage vermogensdissipatie en robuuste thermische prestaties mogelijk.
Dankzij de moderne trench-gate field-stop technologie is het dynamische gedrag van de transistoren geoptimaliseerd. Dit verlaagt de collector-emitter verzadigingsspanning (VCE(sat)), wat resulteert in een hogere energie-efficiëntie en lagere schakelverliezen.