Tranzystory składają się z materiału półprzewodnikowego, zwykle krzemu, który jest podzielony na trzy obszary: kolektor, bazę i emiter. W przemyśle elektronicznym są one wykorzystywane do przełączania lub wzmacniania sygnałów elektrycznych. Tranzystory IGBT, takie jak te oferowane przez Bourns, łączą technologię bramki MOS z przewodnością bipolarną. Struktura ta umożliwia wysokie prędkości przełączania, niskie rozpraszanie mocy i solidną wydajność termiczną.
Dzięki nowoczesnej technologii trench-gate field-stop, dynamiczne zachowanie tranzystorów jest zoptymalizowane. Zmniejsza to napięcie nasycenia kolektor-emiter (VCE(sat)), co skutkuje wyższą wydajnością energetyczną i niższymi stratami przełączania.