
| Physikalische Kenngröße | 01a. SMT-Chip (SBA 2512) | 01b. High-Power (SBA 2550) | 02. High-Current (SBB 5930) | 03. 4-Leiter Kelvin (SBC 4026) | 04. Open Frame (SBD 4512/4524) | 05. Busbar (EB-Welding) | 06. Custom Stanz-Biege |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Nennwiderstand (R) | 0,2 mΩ - 10 mΩ | 0,045 mΩ - 0,50 mΩ | 0,1 mΩ - 3,0 mΩ | 0,2 mΩ - 5,0 mΩ | 1 mΩ - 50 mΩ | projektspezifisch | projektspezifisch |
| Nennleistung (P70) | 1,5 W - 6,0 W | bis 12 W | 5,0 W - 15,0 W | 3,0 W - 12,0 W | 2,0 W - 5,0 W | gemäß Auslegung | anwendungsspezifisch |
| Dauerstrom (Imax) | gemäß Datenblatt | gemäß Datenblatt | gemäß Datenblatt | gemäß Datenblatt | gemäß Datenblatt | projektspezifisch | gemäß Auslegung |
| Temperaturkoeffizient (TCR) | gemäß Serien-Datenblatt / werkstoff- und typabhängig | gemäß Serien-Datenblatt / werkstoff- und typabhängig | gemäß Serien-Datenblatt / werkstoff- und typabhängig | gemäß Serien-Datenblatt / werkstoff- und typabhängig | gemäß Serien-Datenblatt / werkstoff- und typabhängig | gemäß Serien-Datenblatt / werkstoff- und typabhängig | gemäß Serien-Datenblatt / werkstoff- und typabhängig |
| Thermokraft gegen Kupfer | gering, legierungs- und typabhängig gemäß Datenblatt | gering, legierungs- und typabhängig gemäß Datenblatt | gering, legierungs- und typabhängig gemäß Datenblatt | gering, legierungs- und typabhängig gemäß Datenblatt | gering, legierungs- und typabhängig gemäß Datenblatt | gering, legierungs- und typabhängig gemäß Datenblatt | gering, legierungs- und typabhängig gemäß Datenblatt |
| Toleranzklassen | abhängig von Serie und Widerstandswert | 1 %, 2 %, 5 % | 1 %, 5 % | 1 %, 2 %, 5 % | 1 %, 3 %, 5 % | projektspezifisch | projektspezifisch |
| Eigeninduktivität (L) | induktionsarm | induktionsarm | induktionsarm | reduziert (4-Leiter) | induktionsarm | geometrieabhängig | geometrieabhängig |
| Fügeverfahren / Werkstoff | Manganin/Aluchrom | Manganin/Aluchrom | Cu-Mn / NiCr | Manganin / OF-Cu | Elektronenstrahl | Vakuum-EB-Welding | Stanz-Biege / Manganin |
| Besonderes Merkmal | Flache Chip-Bauweise | Erweiterte Leistung | Massive Kupfermasse | Separater Spannungsabgriff | Entkoppelte Geometrie | Monolithische Schiene | Direktmontage Relais/e-Meter |
| Hauptanwendung | Elektronik / Baugruppen | Leistungselektronik | Antriebsinverter / EV | Messsysteme / Zähler | Gehäuse ohne Lüfter | BMS / Traktionsbatterie | Latching Relais / e-Meter |
| Normen / QMS | IATF 16949 (QMS) | IATF 16949 (QMS) | IATF 16949 (QMS) | IATF 16949 (QMS) | IATF 16949 (QMS) | IATF 16949 (QMS) | ISO 9001 (QMS) |
| Nennwiderstandsbereich | projektspezifisch (z. B. Sub-Milliohm) |
| Dauerstrombelastbarkeit | projektspezifisch nach Anforderung ausgelegt |
| Fügeverfahren Kontaktschiene | Vakuum-EB-Welding |
| Werkstoff Kombination | OF-CU / Manganin / Aluchrom |
| Mechanische Anbindung | Verschraubung oder Schweißanbindung nach CAD-Zeichnung |
| Toleranzen & TCR | gemäß Projektspezifikation und Datenblatt |
| Normen-Konformität | Projektbezogene Qualifikationsprüfungen |
| Nennwiderstandsbereich | 0,2 mΩ bis 10,0 mΩ |
| Nennleistung (P70) | 1,5 W bis 6,0 W (baugrößenabhängig) |
| Resistance-Toleranzklassen | abhängig von Serie und Widerstandswert |
| Temperaturkoeffizient (TCR) | gemäß serienbezogenem Datenblatt |
| Thermospannung gegen Kupfer | < 1 µV/K |
| Einsatztemperaturbereich | -55 °C bis +170 °C |
| Gehäuse-Bauform | SMD / SMT 2512 |
| Widerstandsmaterial | Cu-Mn-Sn / Cu-Mn / Aluchrom / NiCr (variantenabhängig) |
| Fertigungsstandard | Herstellerzertifiziertes QMS: IATF 16949 / ISO 9001 |
| Nennwiderstandsbereich | 0,1 mΩ bis 1,0 mΩ |
| Nennleistung (P70) | bis zu 12 W im Standardportfolio |
| Resistance-Toleranzklassen | 1 %, 2 %, 5 % |
| Temperaturkoeffizient (TCR) | gemäß serienbezogenem Datenblatt |
| Thermospannung gegen Kupfer | < 1 µV/K |
| Gehäuse-Bauform | SMD / SMT 2550 |
| Widerstandsmaterial | Manganin / Aluchrom |
| Fertigungsstandard | Herstellerzertifiziert nach IATF 16949 / ISO 9001 |
| Resistance-Toleranzklassen | 1 %, 5 % |
| Temperaturkoeffizient (TCR) | gemäß serienbezogenem Datenblatt |
| Gehäuse-Bauform | SMD / SMT 5930 |
| Nennwiderstandsbereich | 0,1 mΩ bis 3,0 mΩ |
| Nennleistung (P70) | 5,0 W bis 15,0 W |
| Widerstandswerkstoff | Cu-Mn-Sn / Cu-Mn / NiCr / Aluchrom (variantenabhängig) |
| Grenzwerte / Impulsbelastung | gemäß verifiziertem Herstellerspezifikationsblatt |
| Fertigungszertifizierung | Qualitätsmanagementsystem IATF 16949 |
| Nennwiderstandsbereich | 0,2 mΩ bis 5,0 mΩ |
| Nennleistung (P70) | 3,0 W bis 12,0 W |
| Resistance-Toleranzklassen | 4-Leiter (Kelvin-Prinzip) |
| Temperaturkoeffizient (TCR) | 1 %, 2 %, 5 % |
| Gehäuse-Bauform | gemäß serienbezogenem Datenblatt |
| Fertigungsstandard | SMD 4026 |
| Anschlusstopologie | Herstellerzertifiziert nach IATF 16949 / ISO 9001 |
| Nennleistung (P70) | 2,0 W bis 5,0 W |
| Anschlusstopologie | 4-Leiter (Kelvin-Prinzip) |
| Resistance-Toleranzklassen | 1 %, 3 %, 5 % |
| Temperaturkoeffizient (TCR) | baugrößen-/typabhängig gemäß Serien-Datenblatt |
| Gehäuse-Bauform | baugrößen-/typabhängig gemäß Serien-Datenblatt |
| Fertigungsstandard | baugrößen-/typabhängig gemäß Serien-Datenblatt |
| Nennwiderstandsbereich | 1,0 - 50,0 mΩ |


| Parameter / Physikalische Kenngröße | Spezifizierter Leistungsbereich (ROTIMA Portfolio) |
|---|---|
| Nennwiderstandsbereich (R) | ab 0,025 mΩ; kundenspezifische Werte projektspezifisch |
| Nennleistung (P70) | 1,5 W bis 15,0 W (Standard-SMD-Portfolio); höhere Leistungen projektspezifisch |
| Temperaturkoeffizient (TCR) | niedrige TCR-Werte je nach Material und Baureihe gemäß Datenblatt |
| Thermospannung gegen Kupfer (Thermal EMF) | geringe Thermospannungen je nach Widerstandslegierung |
| Resistance-Toleranzklassen | baureihen- und widerstandswertabhängig gemäß Serien-Datenblatt; im Standardportfolio u. a. 1 %, 2 %, 3 %, 4 %, 5 % und 10 % |
| Parasitäre Eigeninduktivität (L) | induktionsarme Geometrien für hochfrequente Schaltvorgänge |
| Einsatztemperaturbereich | -55 °C bis +170 °C (gemäß Baureihenspezifikation) |

