
| Paramètre physique | 01a. Puce SMT (SBA 2512) | 01b. Haute puissance (SBA 2550) | 02. High-Current (SBB 5930) | 03. Kelvin à 4 fils (SBC 4026) | 04. Châssis ouvert (SBD 4512/4524) | 05. Barre omnibus (EB-Welding) | 06. Découpe et pliage sur mesure |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Résistance nominale (R) | 0,2 mΩ - 10 mΩ | 0,045 mΩ - 0,50 mΩ | 0,1 mΩ - 3,0 mΩ | 0,2 mΩ - 5,0 mΩ | 1 mΩ - 50 mΩ | spécifique au projet | spécifique au projet |
| Puissance nominale (P70) | 1,5 W - 6,0 W | jusqu\'à 12 W | 5,0 W - 15,0 W | 3,0 W - 12,0 W | 2,0 W - 5,0 W | conformément à l\'interprétation | spécifique à l\'application |
| Courant continu (Imax) | conformément à la fiche technique | conformément à la fiche technique | conformément à la fiche technique | conformément à la fiche technique | conformément à la fiche technique | spécifique au projet | conformément à l\'interprétation |
| Coefficient de température (TCR) | conformément à la fiche technique de série / en fonction du matériau et du modèle | conformément à la fiche technique de série / en fonction du matériau et du modèle | conformément à la fiche technique de série / en fonction du matériau et du modèle | conformément à la fiche technique de série / en fonction du matériau et du modèle | conformément à la fiche technique de série / en fonction du matériau et du modèle | conformément à la fiche technique de série / en fonction du matériau et du modèle | conformément à la fiche technique de série / en fonction du matériau et du modèle |
| Énergie thermique contre cuivre | faible, en fonction de l\'alliage et du type, conformément à la fiche technique | faible, en fonction de l\'alliage et du type, conformément à la fiche technique | faible, en fonction de l\'alliage et du type, conformément à la fiche technique | faible, en fonction de l\'alliage et du type, conformément à la fiche technique | faible, en fonction de l\'alliage et du type, conformément à la fiche technique | faible, en fonction de l\'alliage et du type, conformément à la fiche technique | faible, en fonction de l\'alliage et du type, conformément à la fiche technique |
| Classes de tolérance | en fonction de la série et de la valeur de la résistance | 1 %, 2 %, 5 % | 1 %, 5 % | 1 %, 2 %, 5 % | 1 %, 3 %, 5 % | spécifique au projet | spécifique au projet |
| Inductance propre (L) | à faible induction | à faible induction | à faible induction | réduit (4 fils) | à faible induction | en fonction de la géométrie | en fonction de la géométrie |
| Procédés d\'assemblage / Matériaux | Manganine/Aluchrome | Manganine/Aluchrome | Cu-Mn / NiCr | Manganine / OF-Cu | faisceau d\'électrons | Soudage par faisceau d\'électrons sous vide | Découpage-pliage / manganine |
| Caractéristique particulière | Conception de puces à structure plate | Prestations étendues | Masse massive de cuivre | Prise de tension séparée | Géométrie découplée | Rail monolithique | Montage direct du relais/compteur électrique |
| Utilisation principale | Électronique / Sous-ensembles | Électronique de puissance | Variateur de fréquence / Véhicule électrique | Systèmes de mesure / Compteurs | Boîtier sans ventilateur | BMS / Batterie de traction | Relais à verrouillage / e-Meter |
| Normes / Système de gestion de la qualité | IATF 16949 (système de gestion de la qualité) | IATF 16949 (système de gestion de la qualité) | IATF 16949 (système de gestion de la qualité) | IATF 16949 (système de gestion de la qualité) | IATF 16949 (système de gestion de la qualité) | IATF 16949 (système de gestion de la qualité) | ISO 9001 (QMS) |
| Plage de résistance nominale | en fonction du projet (par exemple, moins d'un milliohm) |
| Intensité admissible en courant continu | conçu sur mesure en fonction des besoins spécifiques du projet |
| Procédé d'assemblage de la barre de contact | Soudage par faisceau d'électrons sous vide |
| Combinaison de matériaux | OF-CU / Manganin / Aluchrom |
| Raccordement mécanique | Raccord vissé ou soudé selon le plan CAO |
| Tolérances et TCR | conformément au cahier des charges du projet et à la fiche technique |
| Conformité aux normes | Évaluations des compétences liées à des projets |
| Plage de résistance nominale | de 0,2 mΩ à 10,0 mΩ |
| Puissance nominale (P70) | 1,5 W à 6,0 W (selon la taille) |
| Classes de tolérance de résistance | en fonction de la série et de la valeur de la résistance |
| Coefficient de température (TCR) | conformément à la fiche technique spécifique à la série |
| Tension thermique par rapport au cuivre | < 1 µV/K |
| Plage de températures d'utilisation | de -55 °C à +170 °C |
| Forme du boîtier | SMD / SMT 2512 |
| Matériau de résistance | Cu-Mn-Sn / Cu-Mn / Aluchrom / NiCr (selon la variante) |
| norme de fabrication | Système de gestion de la qualité du fabricant : IATF 16949 / ISO 9001 |
| Matériau de résistance | Manganine / Aluchrome |
| norme de fabrication | Certifié par le fabricant selon les normes IATF 16949 / ISO 9001 |
| Plage de résistance nominale | de 0,1 mΩ à 1,0 mΩ |
| Puissance nominale (P70) | jusqu'à 12 W dans la gamme standard |
| Classes de tolérance de résistance | 1 %, 2 %, 5 % |
| Coefficient de température (TCR) | conformément à la fiche technique de la série |
| Tension thermique par rapport au cuivre | < 1 µV/K |
| Forme du boîtier | SMD / SMT 2550 |
| Plage de résistance nominale | de 0,1 mΩ à 3,0 mΩ |
| Puissance nominale (P70) | de 5,0 W à 15,0 W |
| Classes de tolérance de résistance | 1 %, 5 % |
| Coefficient de température (TCR) | conformément à la fiche technique de la série |
| Forme du boîtier | SMD / SMT 5930 |
| matériau de résistance | Cu-Mn-Sn / Cu-Mn / NiCr / Aluchrom (selon la variante) |
| Valeurs limites / Exposition aux impulsions | conformément à la fiche technique vérifiée du fabricant |
| Certification de fabrication | Système de gestion de la qualité IATF 16949 |
| Coefficient de température (TCR) | 1 %, 2 %, 5 % |
| Forme du boîtier | conformément à la fiche technique de la série |
| norme de fabrication | SMD 4026 |
| Plage de résistance nominale | de 0,2 mΩ à 5,0 mΩ |
| Puissance nominale (P70) | de 3,0 W à 12,0 W |
| Classes de tolérance de résistance | 4 fils (principe de Kelvin) |
| topologie de connexion | Certifié par le fabricant selon les normes IATF 16949 / ISO 9001 |
| Plage de résistance nominale | 1,0 - 50,0 mΩ |
| Puissance nominale (P70) | de 2,0 W à 5,0 W |
| topologie de connexion | 4 fils (principe de Kelvin) |
| Classes de tolérance de résistance | 1 %, 3 %, 5 % |
| Coefficient de température (TCR) | en fonction de la taille et du type, conformément à la fiche technique de série |
| Forme du boîtier | en fonction de la taille et du type, conformément à la fiche technique de série |
| norme de fabrication | en fonction de la taille et du type, conformément à la fiche technique de série |


| Paramètre / Grandeur physique | Gamme de prestations spécifiée (portefeuille ROTIMA) |
|---|---|
| Plage de résistance nominale (R) | à partir de 0,025 mΩ ; valeurs personnalisées en fonction du projet |
| Puissance nominale (P70) | 1,5 W à 15,0 W (gamme SMD standard) ; puissances supérieures disponibles sur demande en fonction du projet |
| Coefficient de température (TCR) | faibles valeurs de TCR selon le matériau et la série, conformément à la fiche technique |
| Tension thermique par rapport au cuivre (EMF thermique) | faibles contraintes thermiques selon l\'alliage de résistance |
| Classes de tolérance de résistance | en fonction de la série et de la valeur ohmique, conformément à la fiche technique de série ; la gamme standard comprend notamment 1 %, 2 %, 3 %, 4 %, 5 % et 10 % |
| Inductance parasite (L) | Géométries à faible inductance pour les opérations de commutation à haute fréquence |
| Plage de températures d\'utilisation | de -55 °C à +170 °C (conformément aux spécifications de la série) |

