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      • Elektroisolierband Polyimid-Folie 3M – Typen 92 – 98C-1 – 1205 – 1218
      • Elektroisolierband PTFE-Folie 3M – Typen 60 – 61 – 62
      • Elektroisolierband PVC-Folie 3M – Scotch 22 – Super 33+ – Super 35 – Super 88
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Mehrwert Distributor und Entwicklung

GaN AC-DC Wandler

Unser offizieller Vertriebspartner: Dongke Semiconductor

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Dongke ist ein führender Hersteller von hochfrequenten und hocheffizienten Stromversorgungs-ICs, Synchrongleichrichtern und innovativen Lösungen für die Leistungselektronik.
Durch diese Partnerschaft können wir unseren Kunden Zugang zu einer breiten Palette modernster Technologien und Produkten bieten – von Synchrongleichrichtern für effiziente Energieumwandlung bis hin zu maßgeschneiderten Lösungen für industrielle Anwendungen und Unterhaltungselektronik.

Produktpalette unserer GaN AC-DC Wandler

Unsere GaN-IC-Produktpalette umfasst leistungsstarke und energieeffiziente Lösungen für moderne Anwendungen in der Leistungselektronik. Von Hochfrequenz-Schaltkreisen bis hin zu effizienten Spannungswandlern bieten unsere ICs entscheidende Vorteile wie höhere Schaltgeschwindigkeiten, kompaktere Bauformen und reduzierte Energieverluste.

Dank unserer engen Zusammenarbeit mit Dongke Semiconductor stellen wir innovative Technologien bereit, die speziell für Anwendungen in Industrie 4.0, Elektrofahrzeugen, Schnellladegeräten und Telekommunikationssystemen optimiert sind.

Detaillierte technische Spezifikationen und Datenblätter finden Sie in den nachfolgenden Tabellen.

GaN AC-DC Wandler

TopologieQR-LOCK, ACF, AHB
GaN FET BV700V
GaN FET RDSON160-2200mΩ
HV StartY
Standby Leistung<50mW
fmax250-800KHz, 1MHz
VDD Bereich-0.3~30V, -0.3~60V, -0.3~26V, -0.3~27V
X-cap EntladungAdaptive, Y, N, Adaptive Y
Braun in/outY
PaketPDFN5*6, PDFN5*6;DFN8*8, DFN8*8, ESOP7
Ausgangsleistung12-180W
GaN AC-DC Wandler Produktpalette

GaN AC-DC Wandler für industrielle Anwendungen

GaN-ICs für Industrie 4.0

  • Energieeffizient: Minimaler Energieverlust.
  • Vielseitig: Einsatz in Ladegeräten, E-Autos, 5G.
  • Vielseitig einsetzbar
  • Qualität durch starke Partnerschaft

GaN AC-DC Wandler

GaN AC-DC Wandler
ProduktnummerTopologieGaN FET BVGaN FET RDSONHV StartStandby LeistungfmaxVDD BereichX-cap EntladungBraun in/outPaketAusgangsleistungDownload Datenblatt
DK012GQR-LOCK700V2200mΩY<50mW250KHz-0.3~30VAdaptiveYPDFN5*612W
DK020GQR-LOCK700V1200mΩY<50mW250KHz-0.3~30VAdaptiveYPDFN5*620W
DK025GQR-LOCK700V800mΩY<50mW250KHz-0.3~30VAdaptiveYPDFN5*625W
DK035GQR-LOCK700V600mΩY<50mW250KHz-0.3~30VAdaptiveYPDFN5*636W
DK045GQR-LOCK700V400mΩY<50mW250KHz-0.3~30VYYPDFN5*6;DFN8*845W
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DK8025APQR-LOCK700V800mΩY<50mW250KHz-0.3~60VNYESOP725W
DK8035APQR-LOCK700V600mΩY<50mW250KHz-0.3~60VNYESOP735W
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DK8607ADACFHS 700V+LS 700VHS 400mΩ+LS 260mΩY<50mW1MHz-0.3~26VYYDFN8*865W
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DK8710ADAHBHS 700V+LS 700VHS 480mΩ+LS 480mΩY<50mW800KHz-0.3~27VYYDFN8*8100W
DK8712ADAHBHS 700V+LS 700VHS 350mΩ+LS 350mΩY<50mW800KHz-0.3~27VYYDFN8*8120W
DK8715ADAHBHS 700V+LS 700VHS 260mΩ+LS 260mΩY<50mW800KHz-0.3~27VYYDFN8*8150W
DK8718ADAHBHS 700V+LS 700VHS 150mΩ+LS 150mΩY<50mW800KHz-0.3~27VYYDFN8*8180W
Product numberTopologyGaN FET BVGaN FET RDSONHV StartStandby powerfmaxVDD areaX-cap dischargeBrown in/outPackageOutput powerDownload data sheet
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DK8020APQR-LOCK700V1200mΩY<50mW250KHz-0.3~60VNYESOP720W
DK8025APQR-LOCK700V800mΩY<50mW250KHz-0.3~60VNYESOP725W
DK8035APQR-LOCK700V600mΩY<50mW250KHz-0.3~60VNYESOP735W
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DK8607ADACFHS 700V+LS 700VHS 400mΩ+LS 260mΩY<50mW1MHz-0.3~26VYYDFN8*865W
DK8612ADACFHS 700V+LS 700VHS 400mΩ+LS 260mΩY<50mW1MHz-0.3~26VYYDFN8*8120W
DK8710ADAHBHS 700V+LS 700VHS 480mΩ+LS 480mΩY<50mW800KHz-0.3~27VYYDFN8*8100W
DK8712ADAHBHS 700V+LS 700VHS 350mΩ+LS 350mΩY<50mW800KHz-0.3~27VYYDFN8*8120W
DK8715ADAHBHS 700V+LS 700VHS 260mΩ+LS 260mΩY<50mW800KHz-0.3~27VYYDFN8*8150W
DK8718ADAHBHS 700V+LS 700VHS 150mΩ+LS 150mΩY<50mW800KHz-0.3~27VYYDFN8*8180W
Número de productoTopologíaFET de GaN BVFET de GaN RDSONInicio HVEnergía de reservafmaxÁrea VDDDescarga X-capMarrón entrada/salidaPaquetePotencia de salidaDescargar ficha técnica
DK012GQR-LOCK700V2200mΩY50mW250 kHz-0.3~30VAdaptableYPDFN5*612W
DK020GQR-LOCK700V1200mΩY50mW250 kHz-0.3~30VAdaptableYPDFN5*620W
DK025GQR-LOCK700V800mΩY50mW250 kHz-0.3~30VAdaptableYPDFN5*625W
DK035GQR-LOCK700V600mΩY50mW250 kHz-0.3~30VAdaptableYPDFN5*636W
DK045GQR-LOCK700V400mΩY50mW250 kHz-0.3~30VYYPDFN5*6;DFN8*845W
DK065GQR-LOCK700V260mΩY50mW250 kHz-0.3~30VYYDFN8*865W
DK075GQR-LOCK700V160mΩY50mW250 kHz-0.3~30VYYDFN8*875W
DK8012APQR-LOCK700V2200mΩY50mW250 kHz-0.3~60VNYESOP712W
DK8020APQR-LOCK700V1200mΩY50mW250 kHz-0.3~60VNYESOP720W
DK8025APQR-LOCK700V800mΩY50mW250 kHz-0.3~60VNYESOP725W
DK8035APQR-LOCK700V600mΩY50mW250 kHz-0.3~60VNYESOP735W
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DK8612ADACFHS 700V+LS 700VHS 400mΩ+LS 260mΩY50mW1MHz-0.3~26VYYDFN8*8120W
DK8710ADAHBHS 700V+LS 700VHS 480mΩ+LS 480mΩY50mW800KHz-0.3~27VYYDFN8*8100W
DK8712ADAHBHS 700V+LS 700VHS 350mΩ+LS 350mΩY50mW800KHz-0.3~27VYYDFN8*8120W
DK8715ADAHBHS 700V+LS 700VHS 260mΩ+LS 260mΩY50mW800KHz-0.3~27VYYDFN8*8150W
DK8718ADAHBHS 700V+LS 700VHS 150mΩ+LS 150mΩY50mW800KHz-0.3~27VYYDFN8*8180W
Numer produktuTopologiaGaN FET BVGaN FET RDSONHV StartZasilanie w trybie gotowościfmaxObszar VDDWyładowanie X-capBrązowe wejście/wyjściePakietMoc wyjściowaPobierz arkusz danych
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DK020GQR-LOCK700V1200 mΩY50mW250KHz-0.3~30VAdaptacyjnyYPDFN5*620W
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DK035GQR-LOCK700V600mΩY50mW250KHz-0.3~30VAdaptacyjnyYPDFN5*636W
DK045GQR-LOCK700V400mΩY50mW250KHz-0.3~30VYYPDFN5*6;DFN8*845W
DK065GQR-LOCK700V260mΩY50mW250KHz-0.3~30VYYDFN8*865W
DK075GQR-LOCK700V160mΩY50mW250KHz-0.3~30VYYDFN8*875W
DK8012APQR-LOCK700V2200mΩY50mW250KHz-0.3~60VNYESOP712W
DK8020APQR-LOCK700V1200 mΩY50mW250KHz-0.3~60VNYESOP720W
DK8025APQR-LOCK700V800mΩY50mW250KHz-0.3~60VNYESOP725W
DK8035APQR-LOCK700V600mΩY50mW250KHz-0.3~60VNYESOP735W
DK8045ANQR-LOCK700V400mΩY50mW250KHz-0.3~60VAdaptive YYPDFN5*645W
DK8065ADQR-LOCK700V260mΩY50mW250KHz-0.3~60VAdaptive YYDFN8*865W
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DK8612ADACFHS 700V+LS 700VHS 400mΩ+LS 260mΩY50mW1MHz-0.3~26VYYDFN8*8120W
DK8710ADAHBHS 700V+LS 700VHS 480mΩ+LS 480mΩY50mW800KHz-0.3~27VYYDFN8*8100W
DK8712ADAHBHS 700V+LS 700VHS 350mΩ+LS 350mΩY50mW800KHz-0.3~27VYYDFN8*8120W
DK8715ADAHBHS 700V+LS 700VHS 260mΩ+LS 260mΩY50mW800KHz-0.3~27VYYDFN8*8150W
DK8718ADAHBHS 700V+LS 700VHS 150mΩ+LS 150mΩY50mW800KHz-0.3~27VYYDFN8*8180W
Référence du produitTopologieGaN FET BVGaN FET RDSONDébut HVPuissance en veillefmaxDomaine VDDDécharge X-capMarron in/outPaquetPuissance de sortieTélécharger la fiche technique
DK012GQR-LOCK700V2200mΩY<50mW250KHz-0.3~30VAdaptativeYPDFN5*612W
DK020GQR-LOCK700V1200mΩY<50mW250KHz-0.3~30VAdaptativeYPDFN5*620W
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Numero del prodottoTopologiaGaN FET BVFET GaN RDSONAvvio HVPotenza in standbyfmaxArea VDDScarico X-capIngresso/uscita marronePacchettoPotenza di uscitaScarica la scheda tecnica
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رقم المنتجالطوبولوجياGaN FET BVغاليون فتات الغاليوم FET RDSONبدء التشغيل بجهد عالٍالطاقة الاحتياطيةfmaxمنطقة VDDتفريغ غطاء X-كابسبني داخل/خارجالحزمةطاقة الإخراجتنزيل ورقة البيانات
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제품 번호토폴로지간 페트 bv간 페트 rdsonhv 시작대기 전원fmaxvdd 영역x-캡-방전갈색 입출력패키지출력데이터 시트 다운로드
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製品番号トポロジーGaN FET BVGaN FET RDSONHVスタート待機電力ファマックスVDDエリアXキャップ放電ブラウン・イン/アウトパッケージ出力データシートのダウンロード
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产品编号拓扑结构GaN FET BV氮化镓场效应管高压启动备用电源fmaxVDD区域X-cap放电棕色进/出包装输出功率下载数据表
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Číslo výrobkuTopologieGaN FET BVGaN FET RDSONHV StartPohotovostní výkonfmaxOblast VDDVypouštění X-capHnědý vstup/výstupBalíčekVýstupní výkonStáhnout datový list
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DK020GQR-LOCK700V1200mΩY<50mW250KHz-0.3~30VAdaptivníYPDFN5*620W
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DK8045ANQR-LOCK700V400mΩY<50mW250KHz-0.3~60VAdaptivní YYPDFN5*645W
DK8065ADQR-LOCK700V260mΩY<50mW250KHz-0.3~60VAdaptivní YYDFN8*865W
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Número do produtoTopologiaGaN FET BVGaN FET RDSONArranque HVPotência de reservafmaxÁrea VDDDescarga da tampa XCastanho entrada/saídaEmbalagemPotência de saídaDescarregar a ficha de dados
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Номер продуктаТопологияGaN FET BVGaN FET RDSONHV StartРезервное питаниеfmaxОбласть VDDХ-образный разрядКоричневый вход/выходПакетВыходная мощностьСкачать спецификацию
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Ürün numarasıTopolojiGaN FET BVGaN FET RDSONYG BaşlatmaBekleme gücüfmaxVDD alanıX-cap deşarjıKahverengi giriş/çıkışPaketÇıkış gücüVeri sayfasını indirin
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Termék számaTopológiaGaN FET BVGaN FET RDSONHV StartKészenléti energiafmaxVDD területX-cap kisülésBarna be/kiCsomagKimeneti teljesítményAdatlap letöltése
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شماره محصولتوپولوژیگان فت بی ویگان فت ردسونشروع hvقدرت آماده به کارfmaxمنطقه vddتخلیه کلاه xقهوه ای داخل/خارجبسته بندیقدرت خروجیبرگه داده را بارگیری کنید
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Dk 8045anقفل qr700 ولت400 مترو<50 مگاوات250 کیلوهرتز-0.3 ~ 60 ولتتطبیقی yوPDFN5 * 645 وات
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DK8718ADآهبHS 700V + LS 700VHs 150 mΩ + ls 150 mΩو<50 مگاوات800 کیلوهرتز-0.3 ~ 27 ولتووDFN8 * 8180 وات
ProductnummerTopologieGaN FET BVGaN FET RDSONHV StartStand-byvermogenfmaxVDD-gebiedX-cap ontladingBruin in/uitPakketUitgangsvermogenGegevensblad downloaden
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DK8025APQR-LOCK700V800mΩY<50mW250 kHz-0.3~60VNYESOP725W
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Numărul produsuluiTopologieGaN FET BVGaN FET RDSONHV StartPutere de așteptarefmaxZona VDDDescărcarea X-capMaro intrare/ieșirePachetPutere de ieșireDescărcați fișa tehnică
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DK075GQR-LOCK700V160mΩY<50mW250KHz-0.3~30VYYDFN8*875W
DK8012APQR-LOCK700V2200mΩY<50mW250KHz-0.3~60VNYESOP712W
DK8020APQR-LOCK700V1200mΩY<50mW250KHz-0.3~60VNYESOP720W
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DK8607ADACFHS 700V+LS 700VHS 400mΩ+LS 260mΩY<50mW1MHz-0.3~26VYYDFN8*865W
DK8612ADACFHS 700V+LS 700VHS 400mΩ+LS 260mΩY<50mW1MHz-0.3~26VYYDFN8*8120W
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TuotenumeroTopologiaGaN FET BVGaN FET RDSONHV StartValmiustehofmaxVDD-alueX-cap-purkausRuskea sisään/ulosPakettiLähtötehoLataa tietolehti
DK012GQR-LOCK700V2200mΩY<50mW250KHz-0.3~30VAdaptiivinenYPDFN5*612W
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Číslo výrobkuTopológiaGaN FET BVGaN FET RDSONHV StartPohotovostný výkonfmaxOblasť VDDVypúšťanie X-capHnedý vstup/výstupBalíkVýstupný výkonStiahnite si hárok s údajmi
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ProduktnummerTopologiGaN FET BVGaN FET RDSONHV StartStandby-strømfmaxVDD-områdeX-cap udledningBrun ind/udPakkeUdgangseffektDownload datablad
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Αριθμός προϊόντοςΤοπολογίαGaN FET BVGaN FET RDSONΈναρξη HVΕφεδρική ισχύςfmaxΠεριοχή VDDΑπαλλαγή X-capΚαφέ είσοδος/έξοδοςΠακέτοΙσχύς εξόδουΛήψη δελτίου δεδομένων
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Номер на продуктаТопологияGaN FET BVGaN FET RDSONHV StartМощност в режим на готовностfmaxОбласт VDDРазтоварване на X-capКафяв вход/изходПакетИзходна мощностИзтегляне на информационен лист
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ProduktnummerTopologiGaN FET BVGaN FET RDSONHV StartStandby-strömfmaxVDD-områdeX-cap urladdningBrun in/utPaketUtgångseffektLadda ner datablad
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Številka izdelkaTopologijaGaN FET BVGaN FET RDSONHV StartNapajanje v stanju pripravljenostifmaxObmočje VDDRazrešnica X-capRjav v/izPaketIzhodna močPrenesite podatkovni list
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DK8012APQR-LOCK700V2200mΩY< 50mW250KHz-0.3~60VNYESOP712W
DK8020APQR-LOCK700V1200mΩY< 50mW250KHz-0.3~60VNYESOP720W
DK8025APQR-LOCK700V800mΩY< 50mW250KHz-0.3~60VNYESOP725W
DK8035APQR-LOCK700V600mΩY< 50mW250KHz-0.3~60VNYESOP735W
DK8045ANQR-LOCK700V400mΩY< 50mW250KHz-0.3~60VPrilagodljivi YYPDFN5*645W
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DK8075ADQR-LOCK700V160mΩY< 50mW250KHz-0.3~60VPrilagodljivi YYDFN8*875W
DK8607ADACFHS 700V+LS 700VHS 400mΩ+LS 260mΩY< 50mW1MHz-0.3~26VYYDFN8*865W
DK8612ADACFHS 700V+LS 700VHS 400mΩ+LS 260mΩY< 50mW1MHz-0.3~26VYYDFN8*8120W
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Toote numberTopoloogiaGaN FET BVGaN FET RDSONHV StartOoteseisundis olev võimsusfmaxVDD alaX-kapi tühjendaminePruun sisse/väljaPakettVõimsusLae alla andmeproovileht
DK012GQR-LOCK700V2200mΩY<50mW250KHz-0.3~30VKohanduvYPDFN5*612W
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DK045GQR-LOCK700V400mΩY<50mW250KHz-0.3~30VYYPDFN5*6;DFN8*845W
DK065GQR-LOCK700V260mΩY<50mW250KHz-0.3~30VYYDFN8*865W
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DK8012APQR-LOCK700V2200mΩY<50mW250KHz-0.3~60VNYESOP712W
DK8020APQR-LOCK700V1200mΩY<50mW250KHz-0.3~60VNYESOP720W
DK8025APQR-LOCK700V800mΩY<50mW250KHz-0.3~60VNYESOP725W
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DK8045ANQR-LOCK700V400mΩY<50mW250KHz-0.3~60VKohanduv YYPDFN5*645W
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DK8607ADACFHS 700V+LS 700VHS 400mΩ+LS 260mΩY<50mW1MHz-0.3~26VYYDFN8*865W
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Produkta numursTopoloģijaGaN FET BVGaN FET RDSONHV StartGaidīšanas režīma jaudafmaxVDD zonaX-cap izlādeBrūns ievads/izvadsIepakojumsIzejas jaudaLejupielādēt datu lapu
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GaN-ICs: Die Zukunft der Leistungselektronik und nachhaltigen Energieversorgung

Gallium-Nitrid (GaN) hat sich in den letzten Jahren als Schlüsselmaterial für innovative und leistungsstarke elektronische Bauelemente etabliert. GaN-ICs (Integrierte Schaltungen auf Gallium-Nitrid-Basis) bieten erhebliche Vorteile gegenüber herkömmlichen Silizium-Komponenten, insbesondere in der Leistungselektronik. Unsere IC-Lösungen für Industrie 4.0 zeichnen sich durch eine hohe Energieeffizienz, kompaktere Bauformen und eine deutlich höhere Schaltgeschwindigkeit aus. Diese Eigenschaften machen sie ideal für Anwendungen wie Schnellladegeräte, Elektrofahrzeuge und moderne Telekommunikationssysteme. GaN-ICs tragen zudem zur Nachhaltigkeit bei, da sie Energieverluste minimieren und somit den Gesamtverbrauch senken. Dadurch werden nicht nur Kosten gespart, sondern auch die Umwelt geschont. Besonders in der Informations- und Kommunikationstechnologie (ICT) spielen sie eine zentrale Rolle in der Entwicklung zukunftsorientierter Energieversorgungssysteme.

Die Rotima AG, als erfahrener Distributor im Elektronikbereich sowie Halbleiter für erneuerbare Energien, arbeitet eng mit der chinesischen Dongke Semiconductor zusammen, um die Vorteile von GaN-ICs global zugänglich zu machen. Unsere Expertise ermöglicht es, innovative Lösungen für die Herausforderungen der modernen Elektronik bereitzustellen.

Unser Angebot an weiteren aktiven Bauelementen:

Synchrongleichrichter

Synchrongleichrichter

Ein Synchrongleichrichter ist eine hocheffiziente Technologie zur verlustarmen Gleichrichtung, die durch den Einsatz von MOSFETs anstelle herkömmlicher Dioden die Energieeffizienz maximiert und die Wärmeentwicklung minimiert – ideal für leistungsstarke und kompakte Anwendungen
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Synchrongleichrichter Controller

Synchrongleichrichter Controller

Ein Synchrongleichrichter-Controller optimiert die Effizienz von Leistungswandlern, indem er herkömmliche Dioden durch gesteuerte MOSFETs ersetzt, wodurch Energieverluste minimiert und die Leistungseffizienz maximiert wird.
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All-IN-ONE AC-DC Wandler

All-IN-ONE AC-DC Wandler

Ein All-in-One AC-DC Wandler vereint modernste Leistungselektronik in einem kompakten Modul, das Wechselstrom (AC) zuverlässig in Gleichstrom (DC) umwandelt – effizient, sicher und ideal für anspruchsvolle Industrie- und Technikanwendungen.
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Technologie und Funktionsweise von GaN-ICs in der Elektronik

GaN-ICs basieren auf dem Halbleitermaterial Gallium-Nitrid, das durch seine außergewöhnlichen physikalischen Eigenschaften eine hohe Effizienz und Leistungsdichte ermöglicht. Im Vergleich zu Silizium verfügen GaN-Komponenten über eine höhere elektrische Durchbruchsfestigkeit, geringere Schaltverluste und eine schnellere Reaktionszeit.

Der Aufbau eines GaN-ICs kombiniert aktive GaN-Bauelemente wie Transistoren mit integrierten Schaltungen, die für Steuerung und Signalverarbeitung sorgen. Diese Kombination erlaubt kompakte Designs, die weniger Platz und Kühlung benötigen.

In der Leistungselektronik, etwa bei Ladegeräten oder Energieversorgungssystemen, werden GaN-ICs verwendet, um Energie effizienter umzuwandeln und Schaltungen präzise zu steuern. Sie sind ein essenzieller Bestandteil moderner, nachhaltiger Technologien und treiben die Innovation in der Elektronikbranche voran.

GaN-ICs spielen eine entscheidende Rolle bei der Entwicklung von Halbleiterlösungen in Europa und der Weiterentwicklung der Halbleitertechnik in Deutschland. Als Schlüsselkomponente ermöglichen sie nicht nur effizientere Systeme in der Leistungselektronik, sondern fördern auch die Wettbewerbsfähigkeit europäischer Unternehmen auf dem globalen Markt. Insbesondere in Deutschland, einem Zentrum für technische Innovationen, treiben GaN-basierte Technologien die Entwicklung neuer Anwendungen in Bereichen wie der Elektromobilität, erneuerbaren Energien und Industrieautomatisierung voran.
GaN-ICs
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Tobias Nuffer
Tobias Nuffer
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+49 8341 93403 20
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Weitere Informationen zu GaN-ICs

GaN-ICs revolutionieren die Elektronikbranche durch ihre hohe Energieeffizienz, kompakte Bauweise und vielseitige Einsatzmöglichkeiten, insbesondere in nachhaltigen und leistungsstarken Technologien.

Was sind die Vorteile von GaN-ICs gegenüber Silizium-basierten Bauelementen?

GaN-ICs bieten höhere Energieeffizienz, schnellere Schaltzeiten, geringere Verluste und kompaktere Bauformen im Vergleich zu Silizium.

Wie funktionieren GaN-ICs in der Leistungselektronik?

GaN-ICs nutzen die außergewöhnlichen elektrischen Eigenschaften von Gallium-Nitrid, um Energie mit minimalen Verlusten effizient umzuwandeln und präzise zu steuern.

Welche Anwendungen profitieren besonders von GaN-ICs?

Sie werden in Schnellladegeräten, Elektrofahrzeugen, 5G-Basisstationen und energieeffizienten Industrieanlagen eingesetzt.

Warum sind GaN-ICs nachhaltig?

Sie reduzieren Energieverluste und ermöglichen kompaktere Designs, was den Materialverbrauch senkt und die Umweltbelastung minimiert.

Welche Herausforderungen bestehen bei der Herstellung von GaN-ICs?

Die Produktion erfordert spezielle Technologien und Materialien, die derzeit kostspieliger als herkömmliche Silizium-Verfahren sind.

Rotima GmbH - GaN-ICs?

Gibt es ICs speziell für Niederspannungsanwendungen? - Ja, wir bieten spezialisierte ICs, die für Niederspannungsanwendungen entwickelt wurden und gleichzeitig hohe Effizienz garantieren.

Was sind die Vorteile von Leistungs-ICs mit geringer Wärmeentwicklung? - Unsere Leistungs-ICs minimieren den Energieverlust durch Wärme und ermöglichen dadurch eine verbesserte Systemleistung und Langlebigkeit.

Was ist das patentierte Self-Power-System bei Ihren IC-Lösungen? - Das Self-Power-System ermöglicht ICs, sich selbstständig mit Energie zu versorgen, wodurch zusätzliche Stromquellen überflüssig werden.

Sind Ihre ICs auch für kompakte PCB-Designs geeignet? - Absolut, unsere kompakten ICs sind speziell für platzsparende PCB-Designs entwickelt und erleichtern die Integration in komplexe Systeme.

Was unterscheidet Ihre energieoptimierten Gleichrichter-ICs? - Unsere Gleichrichter-ICs sind darauf ausgelegt, Energieverluste zu minimieren und höchste Effizienz in Gleichstromanwendungen zu erreichen.

Bieten Sie zusätzliche Informationen zur GaN-Technologie an? - Ja, in unserem Whitepaper über GaN-Technologie finden Sie detaillierte Informationen zu den Vorteilen und Anwendungen unserer GaN-ICs.
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Rotima GmbH GaN-ICs und Halbleiterlösungen?

Bietet Rotima IC-Lösungen für den Automotive-Bereich in Deutschland an? - Ja, wir liefern hochwertige IC-Lösungen für Automotive speziell für den deutschen Markt.

Sind Halbleiter für Medizintechnik in der Schweiz verfügbar? - Ja, wir bieten spezialisierte Halbleiter für Medizintechnik in der Schweiz an.

Gibt es USB-Charger ICs für Kunden in Deutschland? - Wir sind Ihr Ansprechpartner für USB-Charger ICs in Deutschland.
Kann man Halbleiterlösungen in der Schweiz bei Rotima kaufen? - Ja, unsere Halbleiterlösungen sind in der Schweiz direkt über uns erhältlich.

Wo kann man IC-Bauelemente in Deutschland kaufen? - Rotima bietet Ihnen hochwertige IC-Bauelemente in Deutschland zum Kauf an.

Wie kann man Halbleiterprodukte in der Schweiz kaufen? - Sie können unsere Halbleiterprodukte in der Schweiz einfach über unsere Vertriebskanäle beziehen.

Sind technische Halbleiterlösungen in der Schweiz erhältlich? - Wir bieten Ihnen maßgeschneiderte technische Halbleiterlösungen in der Schweiz.

Unterstützt Rotima Referenzdesigns für Halbleiterlösungen? - Ja, wir entwickeln und liefern Referenzdesigns für Halbleiterlösungen zur Optimierung Ihrer
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GaN-ICs für erneuerbare Energien und Industrieanwendungen?

Was sind GaN-ICs und warum eignen sie sich für erneuerbare Energien? - GaN-ICs (Gallium-Nitrid-Leistungs-ICs) sind hocheffiziente Halbleiterbausteine, die sich ideal für Anwendungen in erneuerbaren Energien, wie Solarwechselrichter, eignen. Ihre hohe Energieeffizienz und Schaltgeschwindigkeit machen sie zu einer zukunftsweisenden Lösung.

Wo kann ich Gallium-Nitrid-Leistungs-ICs kaufen? - Sie können hochwertige GaN-Leistungsbausteine in Deutschland, der Schweiz und weiteren europäischen Ländern bei spezialisierten Anbietern erwerben.

Wie unterstützt GaN-Technologie Industrie 4.0? - GaN-ICs für Industrie 4.0 ermöglichen leistungsstarke und energieeffiziente Elektroniklösungen, die für die digitale Transformation in der Industrie von entscheidender Bedeutung sind.

Welche Vorteile bieten GaN-ICs für LED-Treiber? - Dank der hohen Effizienz und kompakten Bauweise der GaN-Technologie eignen sich diese Bausteine perfekt für moderne LED-Treiber mit geringem Energieverbrauch.

Was macht GaN-ICs für Windkraftanlagen besonders? - Unsere GaN-ICs bieten höchste Effizienz und Zuverlässigkeit für Windkraftanlagen und tragen zur Optimierung der Energiegewinnung bei.

Bietet Rotima GaN-ICs für Solarprojekte in der Schweiz an? - Ja, wir unterstützen Solarprojekte in der Schweiz mit innovativen GaN-ICs.

Welche Vorteile bieten Ihre IC-Lösungen für die industrielle Automatisierung? - Unsere IC-Lösungen sind auf maximale Präzision und Zuverlässigkeit ausgelegt, um industrielle Automatisierungsprozesse zu verbessern.
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GaN-Lösungen für Medizintechnik und Energieeffizienz?

Warum ist GaN-Technologie für die Medizintechnik relevant? - GaN-Lösungen für Medizintechnik bieten präzise, kompakte und energieeffiziente Leistungselektronik, die für moderne medizinische Geräte unverzichtbar ist.

Was macht GaN-ICs zu einer effizienten Wahl für Solarwechselrichter? - Die energieeffizienten GaN-Schaltkreise minimieren Verluste und erhöhen die Effizienz von Solarwechselrichtern, was sie ideal für nachhaltige Energieprojekte macht.

Gibt es spezifische GaN-IC-Lösungen für Deutschland und die Schweiz? - Ja, spezialisierte Anbieter bieten maßgeschneiderte GaN-IC-Lösungen sowohl in Deutschland als auch in der Schweiz, um die Anforderungen verschiedener Branchen zu erfüllen.

Wie tragen GaN-ICs zur Entwicklung effizienter Leistungselektronik bei? - Effiziente GaN-Leistungselektronik ermöglicht höhere Leistungsdichten, geringere Energieverluste und eine kompaktere Bauweise, was in vielen Anwendungen von Vorteil ist.
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