GaN AC-DC Wandler

GaN-ICs basieren auf dem Halbleitermaterial Gallium-Nitrid, das durch seine außergewöhnlichen physikalischen Eigenschaften eine hohe Effizienz und Leistungsdichte ermöglicht. Im Vergleich zu Silizium verfügen GaN-Komponenten über eine höhere elektrische Durchbruchsfestigkeit, geringere Schaltverluste und eine schnellere Reaktionszeit.

Der Aufbau eines GaN-ICs kombiniert aktive GaN-Bauelemente wie Transistoren mit integrierten Schaltungen, die für Steuerung und Signalverarbeitung sorgen. Diese Kombination erlaubt kompakte Designs, die weniger Platz und Kühlung benötigen.

In der Leistungselektronik, etwa bei Ladegeräten oder Energieversorgungssystemen, werden GaN-ICs verwendet, um Energie effizienter umzuwandeln und Schaltungen präzise zu steuern. Sie sind ein essenzieller Bestandteil moderner, nachhaltiger Technologien und treiben die Innovation in der Elektronikbranche voran.

GaN-ICs spielen eine entscheidende Rolle bei der Entwicklung von Halbleiterlösungen in Europa und der Weiterentwicklung der Halbleitertechnik in Deutschland. Als Schlüsselkomponente ermöglichen sie nicht nur effizientere Systeme in der Leistungselektronik, sondern fördern auch die Wettbewerbsfähigkeit europäischer Unternehmen auf dem globalen Markt. Insbesondere in Deutschland, einem Zentrum für technische Innovationen, treiben GaN-basierte Technologien die Entwicklung neuer Anwendungen in Bereichen wie der Elektromobilität, erneuerbaren Energien und Industrieautomatisierung voran.